Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=70oc

830

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=150oc

4032

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

150

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

2.90

3.35

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc

3.60

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=6.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.0

5.8

6.6

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.25

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

39.0

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

2.55

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

6.30

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg= 1. 1Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

205

NS

tr

Время нарастания

50

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

265

NS

tf

Время спада

140

NS

eна

Включить переход

потеря

50.4

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

20.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg= 1. 1Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

210

NS

tr

Время нарастания

55

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

275

NS

tf

Время спада

175

NS

eна

Включить переход

потеря

66.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

28.9

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=125oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

3900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

2.25

2.70

v

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 125oc

2.35

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt= 12kA/μs,VGE=±15В,tj=25oc

42.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

492

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

16.6

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt= 12kA/μs,VGE=±15В, tj= 125oc

80.4

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

672

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

37.9

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.18

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.031

0.070

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.051

0.114

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g