Модуль IGBT, 1200В 600А
Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ | описание | стоимость | единица |
vCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | v |
vГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ± 20 | v |
Яc | Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc=70oc | 830 600 | A |
Ясм | Импульсный коллекторный ток tp=1 мс | 1200 | A |
pd | Максимальное рассеивание мощности @ Tj=150oc | 4032 | w |
Диод
Символ | описание | стоимость | единица |
vRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1200 | v |
Яf | Диод непрерывно переднийарендная плата | 600 | A |
ЯФм | Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс | 1200 | A |
модуль
Символ | описание | стоимость | единица |
tjmax | Максимальная температура стыка | 150 | oc |
t- Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +125 | oc |
tСТГ | температура хранениядиапазон | -40 до +125 | oc |
vИзо | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты | 2500 | v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
vCE (США) | Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc |
| 2.90 | 3.35 |
v |
Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc |
| 3.60 |
| |||
vGE(В) | Предельный уровень выпускателя напряжение | Яc=6.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc | 5.0 | 5.8 | 6.6 | v |
ЯCES | Коллектор отрезать-выключенный текущий | vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 5.0 | Мамочка |
ЯГЭС | Утечка излучателя текущий | vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Нет |
rГинт | Внутренний портал сопротивленияance |
|
| 0.25 |
| О |
cИ.е. | Входной пропускной способностью | vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
| 39.0 |
| НФ |
cре | Обратная передача Пропускная способность |
| 2.55 |
| НФ | |
qg | Сбор за вход | vGE=- 15…+15В |
| 6.30 |
| μC |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=600А, rg= 1. 1Ω, vGE=±15В,tj=25oc |
| 205 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 50 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 265 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 140 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 50.4 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 20.0 |
| МГ | |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=600А, rg= 1. 1Ω, vGE=±15В, tj= 125oc |
| 210 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 55 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 275 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 175 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 66.0 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 28.9 |
| МГ | |
Яsc |
Данные SC | tp≤ 10 мкс,ВGE=15В, tj=125oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В |
|
3900 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
vf | Диод вперед напряжение | Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc |
| 2.25 | 2.70 | v |
Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 125oc |
| 2.35 |
| |||
qr | Восстановленная зарядка | vСк.= 600 В,If=600А, -di/dt= 12kA/μs,VGE=±15В,tj=25oc |
| 42.0 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 492 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 16.6 |
| МГ | |
qr | Восстановленная зарядка | vСк.= 600 В,If=600А, -di/dt= 12kA/μs,VGE=±15В, tj= 125oc |
| 80.4 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 672 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 37.9 |
| МГ |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
Я...CE | Индуктивность отклоняющейся |
|
| 20 | НН |
rCC+EE | Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу |
| 0.18 |
| mΩ |
rthJC | Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на D)йода) |
|
| 0.031 0.070 | K/W |
rthCH | Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (пер диод) Корпус к радиатору (намодуль) |
| 0.051 0.114 0.035 |
| K/W |
m | Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6 | 1.1 2.5 3.0 |
| 2.0 5.0 5.0 |
n.m. |
g | вес из модуль |
| 300 |
| g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.