Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD600SGT120C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc=80°C

950

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

1200

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

@ Tc=80°C

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

3333

w

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

монтаж крутящий момент

Клемма питания: M4

Крепежный винт силового терминала:M6

1.1 до 2.0

2,5 до 5.0

n.m.

Монографный винт:M6

3,0 до 5.0

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125°C

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg= 1,2Ω,

vGE=±15В,tj=25°C

252

NS

tr

Время нарастания

88

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

560

NS

tf

Время спада

131

NS

eна

Включить переход

потеря

33.1

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

57.8

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg= 1,2Ω,

vGE=±15В,tj=125°C

298

NS

tr

Время нарастания

102

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

648

NS

tf

Время спада

179

NS

eна

Включить переход

потеря

50.2

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

87.8

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

32.3

НФ

c- Да.

Выходной объем

1.69

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.46

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

2400

A

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.3

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600A

tj=25°C

1.65

2.10

v

tj=125°C

1.65

qr

Восстановлено

заряд

Яf=600А,

vr=600 В,

rg= 1,2Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

60.3

μC

tj=125°C

114

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

415

A

tj=125°C

543

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

28.1

МГ

tj=125°C

51.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

0.045

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.080

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

0.035

K/W

вес

вес- Что?модуль

300

g