Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD600SGL120C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

950

A

600

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

600

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

3750

w

tsc

Короткое замыкание с этойВремя

10

μs

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение, диод

vr=0V,t=10ms,Tj=125°C

74000

A2С

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Крутящий момент крепления

Сигнальный терминал Винт:M4

1.1 до 2.0

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3,0 до 5.0

вес

вес из модуль

300

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=24Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25°C

1.9

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj= 125°C

2.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=3Ω,

vGE=±15 v,Tj=25°C

200

NS

tr

Время нарастания

62

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

510

NS

tf

Время спада

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=3Ω,

vGE=±15 v,Tj=25°C

60

NS

eна

Включение переключения

потеря

39

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

48

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,

rg=3Ω,VGE=±15 v,  tj= 125°C

210

NS

tr

Время нарастания

65

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

600

NS

tf

Время спада

75

NS

eна

Включение переключения

потеря

45

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

60

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V, f=1MHz,

vGE=0В

41.0

НФ

c- Да.

Выходной объем

3.1

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

2.0

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,  tj=125°C- Да.

vСк.= 900 В, vСМК≤1200 В

2600

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE ’

Противодействие свинца модуляe, Терминал на чип

tc=25°C

0.18

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600A

tj=25°C

1.8

2.4

v

tj= 125°C

1.9

2.5

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf=600А,

vr=600 В,

di/dt=-6000A/μs, vGE=- 15 В

tj=25°C

65

μC

tj= 125°C

100

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

450

A

tj= 125°C

510

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

35

МГ

tj= 125°C

42

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, per Модуль)

0.04

°C/W

rθД.К.

Junction-to-Case (часть диода, на модуль(с)

0.09

°C/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

°C/W