Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

ЯCN

Использование коллектора Cuренты

600

A

Яc

Ток коллектора  @ Tf= 85oc

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное распределение мощности- - - - - @tf=75oc tj=175oc

970

w

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженностьGE

1200

v

ЯФн

Использование коллектора Cuренты

600

A

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

450

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода30 лет,обычномаксимум 3000 раз в течение жизниЯ

-40 до +150  

+150 до +175

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

dпотащить

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

dПрозрачно

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

ЯCN

Использование коллектора Cuренты

600

A

Яc

Ток коллектора  @ Tf= 85oc

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное распределение мощности- - - - - @tf=75oc tj=175oc

970

w

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженностьGE

1200

v

ЯФн

Использование коллектора Cuренты

600

A

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

450

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода30 лет,обычномаксимум 3000 раз в течение жизниЯ

-40 до +150  

+150 до +175

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

dпотащить

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

dПрозрачно

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25oc

1.40

v

Яc=450A,VGE=15В, tj=150oc

1.65

Яc=450A,VGE=15В, tj=175oc

1.70

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

1.60

Яc=600А,ВGE=15В, tj=150oc

1.90

Яc=600А,ВGE=15В, tj=175oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 15,6Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

6.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенныйтекущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.67

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

81.2

НФ

c- Да.

Выходной объем

1.56

НФ

cре

Обратная передача Пропускная способность

0.53

НФ

qg

Сбор за вход

vCE = 600 В,Ic =600A, VGE=-8...+15В

5.34

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,

rГон=1,0Ω,rГофф= 2,2Ω, Я...С=22nH,

vGE=-8V/+15V, tj=25oc

290

NS

tr

Время нарастания

81

NS

td(off)

Выключение время задержки

895

NS

tf

Время спада

87

NS

eна

Включить переход потеря

53.5

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

47.5

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,

rГон=1,0Ω,rГофф= 2,2Ω, Я...С=22nH,

vGE=-8V/+15V, tj=150oc

322

NS

tr

Время нарастания

103

NS

td(off)

Выключение время задержки

1017

NS

tf

Время спада

171

NS

eна

Включить переход потеря

84.2

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

63.7

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,

rГон=1,0Ω,rГофф= 2,2Ω, Я...С=22nH,

vGE=-8V/+15V, tj=175oc

334

NS

tr

Время нарастания

104

NS

td(off)

Выключение время задержки

1048

NS

tf

Время спада

187

NS

eна

Включить переход потеря

89.8

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

65.4

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤6μs,vGE=15В,

tj=175oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

2000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед напряжение

Яf=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

v

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.75

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 175oc

1.70

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.95

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.95

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 175oc

1.90

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=600А,

-di/dt=7040A/μs,VGE=-8В Я...С=22НН- Да.tj=25oc

22.5

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

304

A

erec

Обратное восстановление энергетики

10.8

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=600А,

-di/dt=5790A/μs,VGE=-8В Я...С=22НН- Да.tj=150oc

46.6

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

336

A

erec

Обратное восстановление энергетики

18.2

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=600А,

-di/dt=5520A/μs,VGE=-8В Я...С=22НН- Да.tj=175oc

49.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

346

A

erec

Обратное восстановление энергетики

19.8

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Энергия

рассеивание

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))]

3375

K

b25/80

B-значение

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))]

3411

K

b25/100

B-значение

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))]

3433

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

8

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.75

mΩ

△p

△V/△t=10,0dm3/минуты- Да.tf=75oc

64

мбар

p

Максимальное давление в охлаждающей системеслюнка

2.5

Бар

rФНП

Переходный пункт-в-Охлаждение Жидкость(наIGBT)Жидкость для слияния и охлаждения (на D)йода) △V/△t=10,0dm3/минуты- Да.tf=75oc

0.103 0.140

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

n.m.

g

вес из модуль

750

g