Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1090

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

3947

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc

1.90

Яc=600А,ВGE=15В, tj=150oc

1.95

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.2

5.8

6.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.7

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

62.1

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.74

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

4.62

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg=1.5Ω,ВGE=±15В, tj=25oc

136

NS

tr

Время нарастания

77

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

494

NS

tf

Время спада

72

NS

eна

Включить переход

потеря

53.1

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

48.4

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg=1.5Ω,ВGE=±15В, tj=125oc

179

NS

tr

Время нарастания

77

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

628

NS

tf

Время спада

113

NS

eна

Включить переход

потеря

70.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

74.2

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А,  rg=1.5Ω,ВGE=±15В, tj=150oc

179

NS

tr

Время нарастания

85

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

670

NS

tf

Время спада

124

NS

eна

Включить переход

потеря

76.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

81.9

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.95

2.40

v

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=125oc

2.05

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=150oc

2.10

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,tj=25oc

58.9

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

276

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

20.9

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,tj=125oc

109

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

41.8

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,tj=150oc

124

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

428

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

48.5

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из r100

tc= 100 oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Энергия

рассеивание

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

3375

K

b25/80

B-значение

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2-

1/(298.15K))]

3411

K

b25/100

B-значение

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2-

1/(298.15K))]

3433

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.038

0.066

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

g

вес из модуль

350

g