IGBT Модуль，1700V 600A
Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ | описание | стоимость | единица |
vCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1700 | v |
vГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ± 20 | v |
Яc | Коллектор текущий@ tc=25oc @tc= 100oc | 1069 600 | A |
Ясм | пульсирующий Коллектор текущий tp= 1мс | 1200 | A |
pd | максимальный Энергия рассеивание@tj=175oc | 4166 | w |
Диод
Символ | описание | стоимость | единица |
vRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1700 | v |
Яf | Диод непрерывного прямого тока | 600 | A |
ЯФм | Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс | 1200 | A |
модуль
Символ | описание | стоимость | единица |
tjmax | Максимальная температура соединения- Подождите. | 175 | oc |
t- Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40в +150 | oc |
tСТГ | диапазон температуры хранения | -40в +125 | oc |
vИзо | Изоляция напряжение РМС, f=50hz,t=1минуты | 4000 | v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
vCE(сидел) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Яc=600А,vGE=15В, tj=25oc |
| 1.85 | 2.20 |
v |
Яc=600А,vGE=15В, tj=125oc |
| 2.25 |
| |||
Яc=600А,vGE=15В, tj=150oc |
| 2.35 |
| |||
vGE(В) | Предельный уровень выпускателя напряжение | Яc= 12.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
ЯCES | Ток коллектора отключения текущий | vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 5.0 | Мамочка |
ЯГЭС | Утечка излучателя текущий | vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25oc |
|
| 400 | - Нет |
rГинт | Сопротивление внутреннего воротника |
|
| 1.1 |
| О |
cИ.е. | Входной пропускной способностью | vCE=25V,f=1МГЗ- Да. vGE=0В |
| 72.3 |
| НФ |
cре | Обратная передача Пропускная способность |
| 1.75 |
| НФ | |
qg | Сбор за вход | vGE=- 15…+15В |
| 5.66 |
| μC |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 900 В,Яc=600А, rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj=25oc |
| 160 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 67 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 527 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 138 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 154 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 132 |
| МГ | |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 900 В,Яc=600А, rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj= 125oc |
| 168 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 80 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 585 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 168 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 236 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 189 |
| МГ | |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 900 В,Яc=600А, rg= 1.0Ω,vGE=±15В,tj= 150oc |
| 192 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 80 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 624 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 198 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 259 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 195 |
| МГ | |
Яsc |
Данные SC | tp≤10μs,vGE=15В, tj=150oc- Да.vСк.= 1000V, vСМК≤1700V |
|
2400 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единицы |
vf | Диод вперед напряжение | Яf=600А,vGE=0V,tj=25oc |
| 1.80 | 2.25 |
v |
Яf=600А,vGE=0V,tj= 125oc |
| 1.90 |
| |||
Яf=600А,vGE=0V,tj= 150oc |
| 1.95 |
| |||
qr | Восстановленная зарядка | vr= 900 В,Яf=600А, -- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=25oc |
| 153 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 592 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 76.5 |
| МГ | |
qr | Восстановленная зарядка | vr= 900 В,Яf=600А, -- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=125oc |
| 275 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 673 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 150 |
| МГ | |
qr | Восстановленная зарядка | vr= 900 В,Яf=600А, -- Да./dt=6700A/μs,vGE=- 15 Вtj=150oc |
| 299 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 690 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 173 |
| МГ |
НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
r25 | Номинальное сопротивление |
|
| 5.0 |
| кΩ |
ΔR/R | Отклонение из r100 | tc= 100 oc,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Энергия рассеивание |
|
|
| 20.0 | МВ |
b25/50 | В-стоимость | r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
b25/80 | В-стоимость | r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
b25/100 | В-стоимость | r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
Я...CE | Индуктивность отклоняющейся |
| 20 |
| НН |
rСк.+EE’ | Сопротивление выводов модуля, терминалк чипу |
| 1.10 |
| mΩ |
rthJC | Переходный пункт-в-Кейс(за ИГБТ) Переходный пункт-в-Кейс(за Диод) |
|
| 0.036 0.073 | K/W |
rthCH | Кейс-в-Радиатор(за ИГБТ) Кейс-в-Радиатор(за Диод) Корпус к радиатору (на модуль) |
| 0.027 0.055 0.009 |
|
K/W |
m | Крутящий момент соединения терминала, винтm6 Монтаж крутящий момент- Да. винт m5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | n.m. |
g | Вес модуль |
| 350 |
| g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
