Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

Временное напряжение затвора-эмиттера

± 20

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

873

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2727

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Напряжение изоляции  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

1.75

2.20

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc

2.00

Яc=600А,ВGE=15В, tj=150oc

2.05

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

55.9

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.57

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

4.20

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=1.5Ω

- Я не знаю.С=34nH,  VGE=±15В,Тj=25oc

109

NS

tr

Время нарастания

62

NS

td(off)

Выключение время задержки

469

NS

tf

Время спада

68

NS

eна

Включить переход

потеря

42.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

46.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=1.5Ω,

Я...С=34НН- Да.- Что?

vGE=±15В,Тj=125oc

143

NS

tr

Время нарастания

62

NS

td(off)

Выключение время задержки

597

NS

tf

Время спада

107

NS

eна

Включить переход

потеря

56.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

70.5

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg=1.5Ω,

Я...С=34НН- Да.  

 vGE=±15В,Тj=150oc

143

NS

tr

Время нарастания

68

NS

td(off)

Выключение время задержки

637

NS

tf

Время спада

118

NS

eна

Включить переход

потеря

61.2

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

77.8

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.95

2.40

v

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 125oc

2.05

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 150oc

2.10

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,Я...С=34НН- Да.tj=25oc

58.9

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

276

A

erec

Обратное восстановление энергетики

20.9

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,Я...С=34НН- Да.tj=125oc

109

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

erec

Обратное восстановление энергетики

41.8

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=4300А/μs,ВGE=- 15V,Я...С=34НН- Да.tj=150oc

124

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

428

A

erec

Обратное восстановление энергетики

48.5

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.055

0.089

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (наIGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

0.032

0.052

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g