Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

925

600

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1200

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

3000

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1200

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25oc

1.65

2.00

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc=600А,ВGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

60.8

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.84

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

4.64

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg= 1,2Ω,LС=20nH, VGE=±15В,Тj=25oc

308

NS

tr

Время нарастания

42

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

431

NS

tf

Время спада

268

NS

eна

Включить переход

потеря

15.7

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

51.3

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg= 1,2Ω,Я...С=20НН- Да.- Что?

vGE=±15В,Тj=125oc

311

NS

tr

Время нарастания

49

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

467

NS

tf

Время спада

351

NS

eна

Включить переход

потеря

31.1

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

69.4

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=600А, rg= 1,2Ω,Я...С=20НН- Да.  

 vGE=±15В,Тj=150oc

313

NS

tr

Время нарастания

51

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

475

NS

tf

Время спада

365

NS

eна

Включить переход

потеря

34.8

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

71.1

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

2400

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.85

2.30

v

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Яf=600А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.95

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=13040A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

38.1

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

524

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

34.9

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=11220A/μs,Vge=- 15V, tj= 125oc

82.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

565

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

54.4

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=600А,

-di/dt=11040A/μs,Vge=- 15V, tj= 150oc

94.7

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

589

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

55.8

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцового сопротивления- Да, конечно, я не знаю.

0.35

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.050

0.080

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.033

0.052

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g