Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

GD600HFT170C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

950

A

600

ЯCM(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

1200

A

Яf

Диод Непрерывный прямой токn

600

A

ЯФм

Диод Максимальный прямой токn

1200

A

pd

Максимальная мощностьtj=175°C

3571

w

tj

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

3400

v

монтаж

крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.8 до 2.1

8,0 до 10

n.m.

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(BR) CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1700

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=24mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=600А,ВGE=15В, tj=25°C

2.00

2.45

v

Яc=600А,ВGE=15В, tj=125°C

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qg

Сбор за вход

vGE=-15…+15V

7.0

μC

td(on)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=600А, rГон= 2,4Ω,

rГофф=3.0Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

650

NS

tr

Время нарастания

155

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1300

NS

tf

Время спада

180

NS

eна

Включить Потери при переключении

125

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

186

МГ

td(on)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=600А, rГон= 2,4Ω,

rГофф=3.0Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

701

NS

tr

Время нарастания

198

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1590

NS

tf

Время спада

302

NS

eна

Включить Потери при переключении

186

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

219

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

52.8

НФ

c- Да.

Выходной объем

2.20

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.75

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,

tj=125°CVСк.=1000V, vСМК ≤1700В

2400

A

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.3

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE’

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.18

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=600A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

qr

Восстановленная зарядка

Яf=600А,

vr= 900 В,

di/dt=-3800A/μs, vGE= 15 В

tj=25°C

580

μC

tj=125°C

640

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

160

A

tj=125°C

258

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

96

МГ

tj=125°C

171

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθJC

Соединение с корпусом (наIGBT)

42

К/кВт

rθJC

Соединение с корпусом (на D)йода)

94

К/кВт

rθCS

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласно Модуль)

6

К/кВт

вес

Вес модуль

1500

g