Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD450HTT120C7S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер    @ Tj=25°C

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

p- Да.

Общая мощность рассеяния    @ Tj=175°C

2155

w

tsc

Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=150°C

10

μs

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(BR)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=18.0mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc=450A,VGE=15В, tj=125°C

1.90

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

eна

Включить переход

потеря

vСк.= 600 В,Ic=450A,   Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=25°C

23.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

31.0

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

54.0

МГ

eна

Включить переход

потеря

vСк.= 600 В,Ic=450A,   Rg=1.6Ω,VGE=±15V, tj=125°C

36.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

48.0

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

84.0

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,VGE=0В

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj=125°C

1.65

qr

Восстановленная зарядка

Яf=450A,

vr=600 В,

di/dt=-5200A/μs, vGE= 15 В

tj=25°C

45.1

NS

tj=125°C

84.6

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

316

A

tj=125°C

404

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

21.1

МГ

tj=125°C

38.9

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

ΔR/R

Отклонение из r100

tc=100°C,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

рассеивание мощности

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25exp[B25/50(1/T2-1/(298.1 5K))]

3375

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE’

Модуль свинцового сопротивленияce,Терминал к чипу @ Tc=25°C

1.1

mО

rθJC

Переходный пункт-в-Кейс(наIGBT)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.058

0.102

K/W

rθCS

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.005

K/W

tj

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40

125

°C

монтаж

крутящий момент

Терминал питания Винт:M5

3.0

6.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3.0

6.0

n.m.

вес

Вес модуль

910

g