Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD450HTL120C7S

единицы

vCES

Напряжение коллектора-излучателя @ Tj=25°C

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

900

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

p- Да.

Общее рассеивание энергии@ Tj= 175°C

3191

w

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc= 18,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25°C

2.00

2.45

v

Яc=450A,VGE=15В, tj= 125°C

2.20

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

4.6

μC

eна

Включение переключения

потеря

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=2.3Ω,ВGE=±15V, tj=25°C

48

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

28

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

76

МГ

eна

Включение переключения

потеря

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=2.3Ω,ВGE=±15V, tj= 125°C

66

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

45

МГ

e- Да.

в целом Потери при переключении

111

МГ

d(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,   rg=2.3Ω,ВGE= ±15 v,tj=25°C

205

NS

tr

Время нарастания

70

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

465

NS

tf

Время спада

50

NS

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,   rg=2.3Ω,ВGE= ±15 v, tj= 125°C

225

NS

tr

Время нарастания

70

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

520

NS

tf

Время спада

75

NS

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

31.8

НФ

c- Да.

Выходной объем

2.13

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.41

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE ≤15 v, tj= 125°CVСк.=600 В, vСМК≤1200 В

2250

A

rГинт

Внутренний резис вороттанцевать

0.7

О

Символ

описание

GD450HTL120C7S

единицы

vRRM

Напряжение коллектора-излучателя @ Tj=25°C

1200

v

Яf

Продолжающий ток @ Tc=80°C

450

A

ЯФРМ

Повторяющийся пиковый переходный ток tp=1 мс

900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,vGE=0В

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj= 125°C

1.90

qr

Восстановленная зарядка

vr=600 v,

Яf=450A,

rg=2.3Ω,

vGE=- 15 В

tj=25°C

58

μC

tj= 125°C

99

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

372

A

tj= 125°C

492

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

22

МГ

tj= 125°C

45

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc= 100°C,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

рассеивание мощности

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25exp[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))]

3375

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE ’

Модуль сопротивления свинцу, терминал к чипу @ Tc=25°C

1.1

mО

rθД.К.

Соединение с делом (на IG)БТ)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.047

0.078

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.005

K/W

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40

125

°C

монтаж

крутящий момент

Шпилька силового терминала:M5

3.0

6.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3.0

6.0

n.m.

вес

вес из модуль

910

g