Модуль IGBT, 1200В 450А
Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ | описание | стоимость | единица |
vCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | v |
vГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ± 20 | v |
Яc | Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc= 100oc | 680 450 | A |
Ясм | Импульсный коллекторный ток tp=1 мс | 900 | A |
pd | Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc | 2173 | w |
Диод
Символ | описание | стоимость | единица |
vRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1200 | v |
Яf | Диод непрерывно переднийарендная плата | 450 | A |
ЯФм | Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс | 900 | A |
модуль
Символ | описание | стоимость | единица |
tjmax | Максимальная температура стыка | 175 | oc |
t- Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +150 | oc |
tСТГ | температура хранениядиапазон | -40 до +125 | oc |
vИзо | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты | 2500 | v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Яc=450A,VGE=15В, tj=25oc |
| 1.70 | 2.15 |
v |
Яc=450A,VGE=15В, tj=125oc |
| 1.95 |
| |||
Яc=450A,VGE=15В, tj=150oc |
| 2.00 |
| |||
vGE(В) | Предельный уровень выпускателя напряжение | Яc= 11.3мА,ВCE=VGE- Да.tj=25oc | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
ЯCES | Коллектор отрезать-выключенный текущий | vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 1.0 | Мамочка |
ЯГЭС | Утечка излучателя текущий | vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Нет |
rГинт | Внутренний портал сопротивленияance |
|
| 0.7 |
| О |
cИ.е. | Входной пропускной способностью | vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
| 46.6 |
| НФ |
cре | Обратная передача Пропускная способность |
| 1.31 |
| НФ | |
qg | Сбор за вход | vGE=- 15…+15В |
| 3.50 |
| μC |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg= 1.3Ω, vGE=±15В,tj=25oc |
| 203 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 64 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 491 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 79 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 16.1 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 38.0 |
| МГ | |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg= 1.3Ω, vGE=±15В, tj= 125oc |
| 235 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 75 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 581 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 109 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 27.8 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 55.5 |
| МГ | |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=450A, rg= 1.3Ω, vGE=±15В, tj= 150oc |
| 235 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 75 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 621 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 119 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 30.5 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 61.5 |
| МГ | |
Яsc |
Данные SC | tp≤ 10 мкс,ВGE=15В, tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В |
|
1800 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
vf | Диод вперед напряжение | Яf=450A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.65 | 2.10 |
v |
Яf=450A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.65 |
| |||
Яf=450A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.65 |
| |||
qr | Восстановленная зарядка | vСк.= 600 В,If=450A, -di/dt=6600А/μs,ВGE=- 15V,tj=25oc |
| 46 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 428 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 25.2 |
| МГ | |
qr | Восстановленная зарядка | vСк.= 600 В,If=450A, -di/dt=6600А/μs,ВGE=- 15V, tj= 125oc |
| 87 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 523 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 46.1 |
| МГ | |
qr | Восстановленная зарядка | vСк.= 600 В,If=450A, -di/dt=6600А/μs,ВGE=- 15V, tj= 150oc |
| 100 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 546 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 52.3 |
| МГ |
НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
r25 | Номинальное сопротивление |
|
| 5.0 |
| кΩ |
ΔR/R | Отклонение из r100 | tc= 100 oC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Энергия рассеивание |
|
|
| 20.0 | МВ |
b25/50 | B-значение | r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
b25/80 | B-значение | r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
b25/100 | B-значение | r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
Я...CE | Индуктивность отклоняющейся |
| 20 |
| НН |
rCC+EE | Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу |
| 1.10 |
| mΩ |
rthJC | Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на Di)(оде) |
|
| 0.069 0.108 | K/W |
rthCH | Корпус к радиатору (на IGBT) Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод) Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок) |
| 0.030 0.046 0.009 |
| K/W |
m | Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | n.m. |
g | вес из модуль |
| 350 |
| g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
