Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

656

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

900

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2054

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

450

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

900

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=450A,VGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc=450A,VGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 18,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.7

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

46.6

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

3.50

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

328

NS

tr

Время нарастания

76

NS

td(off)

Выключение время задержки

539

NS

tf

Время спада

108

NS

eна

Включить переход

потеря

19.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

46.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=125oc

376

NS

tr

Время нарастания

86

NS

td(off)

Выключение время задержки

595

NS

tf

Время спада

214

NS

eна

Включить переход

потеря

36.3

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

53.5

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg=1.5Ω,

vGE=±15В, tj=150oc

380

NS

tr

Время нарастания

89

NS

td(off)

Выключение время задержки

608

NS

tf

Время спада

232

NS

eна

Включить переход

потеря

41.7

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

55.5

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.90

2.35

v

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 125oc

2.00

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 150oc

2.05

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

55.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

518

A

erec

Обратное восстановление энергетики

26.0

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=125oc

106

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

633

A

erec

Обратное восстановление энергетики

47.5

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=4370A/μs,VGE=- 15V,tj=150oc

121

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

661

A

erec

Обратное восстановление энергетики

53.9

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.073

0.128

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

0.031

0.055

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g