Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 95oc

685

450

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

900

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2206

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

450

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp= 1мс

900

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=450A,VGE= 15V,tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=450A,VGE= 15V,tj=125oc

1.95

Яc=450A,VGE= 15V,tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 18,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.7

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

39.0

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.26

НФ

qg

Сбор за вход

vGE= 15 В

2.46

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg= 1,5Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

360

NS

tr

Время нарастания

140

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

550

NS

tf

Время спада

146

NS

eна

Включить переход

потеря

11.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

48.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg= 1,5Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

374

NS

tr

Время нарастания

147

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

623

NS

tf

Время спада

178

NS

eна

Включить переход

потеря

17.9

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

64.5

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=450A,  rg= 1,5Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

381

NS

tr

Время нарастания

152

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

636

NS

tf

Время спада

184

NS

eна

Включить переход

потеря

19.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

69.0

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE= 15V,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

1800

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=450A,VGE=0V,Tj=25oc

1.72

2.12

v

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.73

Яf=450A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.74

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

40.3

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

258

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

19.0

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE=- 15V, tj= 125oc

71.9

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

338

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

39.1

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=450A,

-di/dt=3000A/μs,VGE=- 15V, tj= 150oc

79.3

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

352

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

41.8

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.35

mΩ

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.068

0.117

K/W

rθcs

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

0.111

0.190

K/W

rθcs

Сборка из коробки в раковину

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес- Что?модуль

300

g