Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий@ tc=25oc

@tc= 100oc

630

400

A

Ясм

пульсирующий Коллектор текущий  tp= 1мс

800

A

pd

максимальный Энергия рассеивание@tj=175oc

2083

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывного прямого тока

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура соединения- Подождите.

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40в +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40в +125

oc

vИзо

Изоляция напряжение  РМС, f=50hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE(сидел)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,vGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=400A,vGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc=400A,vGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 10.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

ЯCES

Ток коллектора отключения

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,

tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.9

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=1МГЗ- Да.

vGE=0В

41.4

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.16

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15V…+15V

3.11

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=600 В,Яc=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

257

NS

tr

Время нарастания

96

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

628

NS

tf

Время спада

103

NS

eна

Включить переход

потеря

23.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

34.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=600 В,Яc=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

268

NS

tr

Время нарастания

107

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

659

NS

tf

Время спада

144

NS

eна

Включить переход

потеря

35.3

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

51.5

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=600 В,Яc=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

278

NS

tr

Время нарастания

118

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

680

NS

tf

Время спада

155

NS

eна

Включить переход

потеря

38.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

56.7

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tj=150oc- Да.vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,vGE=0V,tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf=400A,vGE=0V,tj= 125oc

1.85

Яf=400A,vGE=0V,tj= 150oc

1.85

qr

Восстановленная зарядка

vr=600 В,Яf=400A,

-- Да./dt= 5000 А/μs,vGE=- 15 Вtj=25oc

38.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

285

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

19

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=600 В,Яf=400A,

-- Да./dt= 5000 А/μs,vGE=- 15 Вtj= 125oc

66.5

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

380

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

36.6

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=600 В,Яf=400A,

-- Да./dt= 5000 А/μs,vGE=- 15 Вtj= 150oc

76.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

399

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

41.8

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE’

Сопротивление выводов модуля, терминалк чипу

0.18

mΩ

rthJC

Переходный пункт-в-Кейс(за ИГБТ)

Переходный пункт-в-Кейс(за Диод)

0.072

0.095

K/W

rthCH

Кейс-в-Радиатор(за ИГБТ)

Кейс-в-Радиатор(за Диод)

Корпус к радиатору (на модуль)

0.018

0.023

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винтm6 Монтаж крутящий момент- Да. винт m6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

Вес модуль

300

g