Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD400SGL120C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

650

A

400

Ясм(1)

Импульсный коллекторный токn

800

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

400

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

3000

w

tsc

Время выдержки короткого замыкания @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tj

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение, диод

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

27500

A2С

vИзо

Изоляционное напряжение RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Крутящий момент крепления

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5

n.m.

монтаж Винт: M6

3 в 6

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

bvCES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Затвор-эмиттер

тока утечки

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Затвор-эмиттер

Напряжение порога

Яc=8Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (США)

Коллектор к

Эмиттерное насыщение

напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C

1.9

v

Яc=400A,VGE=15В, tj= 125°C

2.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,

rg=4Ω, VGE = ±15V,

100

NS

tr

Время нарастания

60

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

tj=25°C

420

NS

tf

Время спада

vСк.= 600 В,Ic=400A,

rg=4Ω, VGE = ±15V,

tj=25°C

60

NS

eна

Включить

Потери при переключении

33

МГ

eвыключенный

Включение-выключенный

Потери при переключении

42

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,

rg=4Ω, VGE = ±15V,

tj= 125°C

120

NS

tr

Время нарастания

60

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

490

NS

tf

Время спада

75

NS

eна

Включить

Потери при переключении

35

МГ

eвыключенный

Включение-выключенный

Потери при переключении

46

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE =25V, f=1MHz,

vGE =0В

30

НФ

c- Да.

Выходной объем

4

НФ

cре

задом наперёд

Емкость передачи

3

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10μs, VGE=15 v,

tj=125°C, VСк.= 900 В,

vСМК≤1200 В

1900

A

rГинт

Внутренний затвор

сопротивление

0.5

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE ’

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

tc=25°C

0.18

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A

tj=25°C

2.1

2.2

v

tj= 125°C

2.2

2.3

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf=400A,

vr=600 В,

di/dt=-4000A/μs, vGE=- 15 В

tj=25°C

40

μC

tj= 125°C

48

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

320

A

tj= 125°C

400

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

12

МГ

tj= 125°C

20

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, per Модуль)

0.05

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть ДИОД, на модульe)

0.09

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

K/W

вес

вес из модуль

300

g