Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD400SGK120C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

Символ

описание

GD400SGK120C2S

единицы

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20 В

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

550

A

400

ЯCM(1)

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

Яf

Диод Непрерывный прямой токn

400

A

ЯФм

Диод Максимальный прямой токn

800

A

pd

Максимальная мощность Рассеяние @tj=150°C

2500

w

tsc

Время выдержки короткого замыкания @ Tj= 125°C

10

μs

tj

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение, диод

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

27500

A2С

vИзо

Напряжение изоляции    RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

монтаж

крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт: M6

1.1 до 2.0

2,5 до 5.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3,0 до 6.0

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

bvCES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vГЭ ((th)

Затвор-эмиттер

Напряжение порога

Яc=5.0mA,VCE=VGE- Да.

tj=25°C

4.5

5.1

5.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15V,Tj=25°C

2.2

v

Яc=400A,VGE=15В,

tj=125°C

2.5

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,

258

NS

tr

Время нарастания

rg=3.3Ω, VGE =±15V,

110

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

tj= 25°C

285

NS

tf

Время спада

vСк.= 600 В,Ic=400A,

rg=3.3Ω, VGE =±15V, tj= 25°C

70

NS

eна

Включить переход потеря

45

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

26

МГ

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,

rg=3.3Ω, VGE =±15V, tj= 125°C

260

NS

tr

Время нарастания

120

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

300

NS

tf

Время спада

80

NS

eна

Включить переход потеря

60

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

40

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE =25V, f=1.0MHz,

vGE =0В

74.7

НФ

c- Да.

Выходной объем

3.3

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.64

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10μs, VGE=15В,

tj=125°C, VСк.= 900 В,

vСМК ≤1200 В

2400

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

16

НН

rСк.+EE’

Модуль свинцовый

Сопротивление, терминал в чип

tc=25°C

0.50

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A

tj=25°C

2.0

2.3

v

tj=125°C

2.2

2.5

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf=400A,

vr=600 В,

di/dt=-4100A/μs, vGE= 15 В

tj=25°C

31

μC

tj=125°C

66

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

300

A

tj=125°C

410

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

12

МГ

tj=125°C

28

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθJC

Сцепление с корпусом (IGBT часть, в 1/2 модуль)

0.05

K/W

rθJC

С перехода на корпус (ЧАСТЬ ДИОДА, на 1/2 модуль)

0.08

K/W

rθCS

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

K/W

вес

Вес модуль

340

g