Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD400HFU120C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

660

400

A

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

400

A

ЯФм(1)

Диод максимально протяженныйарендная плата

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 150°C

2660

w

tsc

Время выдержки короткого замыкания @ Tj=125°C

10

μs

tj

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Крутящий момент крепления

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5.0

n.m.

монтаж Винт: M6

3,0 до 6.0

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=4,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

4.4

4.9

6.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C

3.10

3.60

v

Яc=400A,VGE=15В, tj= 125°C

3.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,   rg= 2,2Ω,VGE=±15 v,tj=25°C

680

NS

tr

Время нарастания

142

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

638

NS

tf

Время спада

99

NS

eна

Включение переключения

потеря

19.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

32.5

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,   rg= 2,2Ω,VGE=±15 v, tj= 125°C

690

NS

tr

Время нарастания

146

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

669

NS

tf

Время спада

108

NS

eна

Включение переключения

потеря

26.1

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

36.7

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

33.7

НФ

c- Да.

Выходной объем

2.99

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.21

НФ

Яsc

Данные SC

tp ≤10 мс,ВGE=15 v, tj=25°C- Да.

vСк.=600 В, vСМК≤1200 В

2600

A

rГинт

Внутренний резис вороттанцевать

0.5

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

18

НН

rСк.+EE ’

Модуль свинцового сопротивленияc Терминал на чип

tc=25°C

0.32

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A

tj=25°C

1.95

2.35

v

tj= 125°C

1.85

qr

Восстановленная зарядка

Яf=400A,

vr=600 v,

di/dt=-2850A/μs, vGE=- 15 В

tj=25°C

24.1

μC

tj= 125°C

44.3

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

220

A

tj= 125°C

295

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

13.9

МГ

tj= 125°C

24.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IG)БТ)

0.047

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.096

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

K/W

g

Вес модуль

350

g