Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

GD400HFT170C2SN

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc=80°C

700

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

800

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

@ Tc=80°C

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

2632

w

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

монтаж крутящий момент

Крепежный винт силового терминала:M6

Монографный винт:M6

2,5 до 5.0

3,0 до 5.0

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1700

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE- Да.tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C

2.00

2.45

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125°C

2.40

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,  rg=3.6Ω,VGE=±15В, tj=25°C

281

NS

tr

Время нарастания

79

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

795

NS

tf

Время спада

120

NS

eна

Включить переход

потеря

104

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

86

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=400A,  rg=3.6Ω,VGE=±15В, tj=125°C

299

NS

tr

Время нарастания

102

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

998

NS

tf

Время спада

202

NS

eна

Включить переход

потеря

136

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

124

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

35.3

НФ

c- Да.

Выходной объем

1.46

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.17

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 1000 v, vСМК≤1700V

1600

A

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.9

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.35

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

qr

Восстановлено

заряд

Яf=400A,

vr= 900 В,

rg=3,6Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

100

μC

tj=125°C

170

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

440

A

tj=125°C

480

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

54.0

МГ

tj=125°C

95.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

0.057

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.110

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

K/W

вес

вес- Что?модуль

300

g