Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

700

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

2542

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

2.00

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

2.10

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

1.9

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

28.8

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.31

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

1.20

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

250

NS

tr

Время нарастания

39

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

500

NS

tf

Время спада

100

NS

eна

Включить переход

потеря

17.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

42.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

299

NS

tr

Время нарастания

46

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

605

NS

tf

Время спада

155

NS

eна

Включить переход

потеря

25.1

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

61.9

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg= 1.8Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

320

NS

tr

Время нарастания

52

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

625

NS

tf

Время спада

180

NS

eна

Включить переход

потеря

30.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

66.8

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.=600 В, vСМК≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.65

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15V,tj=25oc

44

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

490

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

19.0

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15V, tj= 125oc

78

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

555

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

35.1

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If=400A,

-di/dt=6000A/μs,

vGE=- 15V, tj= 150oc

90

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

565

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

38.8

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc= 100oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

рассеивание мощности

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

3375

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.059

0.106

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.109

0.196

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g