Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=100oc

769

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tvj  = 175oc

2272

w

Символ

описание

стоимость

единица

tvjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

tvjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tvj=25oc

1.85

2.30

v

Яc=400A,VGE=15В, tvj=125oc

2.25

Яc=400A,VGE=15В, tvj=150oc

2.35

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=16.00Мамочка- Да.vCE=vGE- Да.tvj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tvj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tvj=25oc

400

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

43.2

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.18

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

3.36

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A, rg=2Ω,Я...С=45НН- Да.

vGE=±15В,tvj=25oc

288

NS

tr

Время нарастания

72

NS

td(off)

Выключение время задержки

314

NS

tf

Время спада

55

NS

eна

Включить переход

потеря

43.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

12.4

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A, rg=2Ω,Я...С=45НН- Да.

vGE=±15В,tvj=125oc

291

NS

tr

Время нарастания

76

NS

td(off)

Выключение время задержки

351

NS

tf

Время спада

88

NS

eна

Включить переход

потеря

57.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

17.1

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A, rg=2Ω,Я...С=45НН- Да.

vGE=±15В,tvj=150oc

293

NS

tr

Время нарастания

78

NS

td(off)

Выключение время задержки

365

NS

tf

Время спада

92

NS

eна

Включить переход

потеря

62.8

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

18.6

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tvj=150oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

1500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tvj=25oc

1.85

2.30

v

Яf=400A,VGE=0V,Tvj=125oc

1.90

Яf=400A,VGE=0V,Tvj=150oc

1.95

qr

Восстановлено

заряд

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=4130A/μs,VGE=- 15V,Я...С=45НН- Да.tvj=25oc

38.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

252

A

erec

Обратное восстановление энергетики

11.2

МГ

qr

Восстановлено

заряд

vr= 600 В,If=400A,

-- Да./dt=3860A/μs,vGE=- 15V,Я...С=45НН- Да.tvj=125oc

61.9

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

255

A

erec

Обратное восстановление энергетики

18.7

МГ

qr

Восстановлено

заряд

vr= 600 В,If=400A,

-- Да./dt=3720A/μs,vGE=- 15V,Я...С=45НН- Да.tvj=150oc

75.9

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

257

A

erec

Обратное восстановление энергетики

20.5

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.35

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.066

0.115

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

0.031

0.055

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g