Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD400HFL120C2SN

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

650

A

400

ЯCM(1)

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока@ Tc=80°C

400

A

ЯФм

Диод Максимальный прямой токn

800

A

pd

Максимальная мощность Рассеяние @tj=150°C

2450

w

tjmax

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж

Терминал питания Винт: M6

2,5 до 5.0

n.m.

крутящий момент

монтаж Винт: M6

3,0 до 5.0

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(BR)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc= 16mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25°C

1.90

2.35

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125°C

2.10

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,   rg= 4,1Ω,VGE=±15V, tj=25°C

910

NS

tr

Время нарастания

200

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

848

NS

tf

Время спада

110

NS

eна

Включить переход

потеря

33.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

39.5

МГ

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,   rg= 4,1Ω,VGE=±15V, tj=125°C

1047

NS

tr

Время нарастания

201

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

998

NS

tf

Время спада

150

NS

eна

Включить переход

потеря

46.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

57.6

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

29.7

НФ

c- Да.

Выходной объем

2.08

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.36

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,

tj=25°CVСк.=600 В,

vСМК ≤1200 В

1800

A

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

0.5

Ω

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE’

Модуль свинцового сопротивления- не Терминал на чип

tc=25°C

0.35

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A

tj=25°C

1.80

2.40

v

tj=125°C

1.85

qr

Восстановленная зарядка

Яf=400A,

vr=600 В,

di/dt=-2680A/μs, vGE= 15 В

tj=25°C

26

μC

tj=125°C

49

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

212

A

tj=125°C

281

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

13.4

МГ

tj=125°C

23.8

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθJC

Переходный пункт-в-Кейс(наIGBT)

0.051

K/W

rθJC

Соединение с корпусом (наДиод)

0.072

K/W

rθCS

Складка-на-мыло (проводящая жирная смесь)применяется)

0.035

K/W

вес

Вес модуль

300

g