Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

630

400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

2083

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=400A,VGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc=400A,VGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc=400A,VGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

39.6

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.20

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=15В

2.40

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

408

NS

tr

Время нарастания

119

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

573

NS

tf

Время спада

135

NS

eна

Включить переход

потеря

10.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

36.2

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

409

NS

tr

Время нарастания

120

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

632

NS

tf

Время спада

188

NS

eна

Включить переход

потеря

13.2

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

53.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=400A,  rg=2,0Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

410

NS

tr

Время нарастания

123

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

638

NS

tf

Время спада

198

NS

eна

Включить переход

потеря

14.4

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

56.1

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

1600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=400A,VGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Яf=400A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.85

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

40.5

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

259

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

19.7

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

67.9

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

323

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

32.6

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

77.7

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

342

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

38.3

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.35

mΩ

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.072

0.095

K/W

rθcs

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

0.088

0.116

K/W

rθcs

Сборка из коробки в раковину

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес- Что?модуль

300

g