Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD300SGU120C2S

единицы

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

- Да.

Коллекторный ток @ TC=25°C

@ TC=80°C

440

300

A

МКК

Импульсный коллектор ток tp=1 ms

600

A

если

Диод непрерывного потока @ TC=80°C

300

A

если

Диод Максимальный проходный ток tp=1 ms

600

A

ПД

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=150°C

2272

w

Tjmax

Максимальная температура стыка

150

°C

ТСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Визо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Крутящий момент крепления

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

От 1.1 до 2.0

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5,0

n.m.

Монографный винт:M6

3,0 - 5,0

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

V ((BR) CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

Tj=25°C

1200

v

ICES

Ток коллектора отключения

текущий

ВЭС=ВКЭС,ВГЭ=0В,Тж=25°С

5.0

Мамочка

IGES

Ток утечки излучателя врат

ВЭГ=ВГЭС,ВЭС=0В,Тж=25°С

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

VGE (th)

Пороговое напряжение выпускателя

IC=3,0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

v

VCE(sat)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C

3.10

3.55

v

IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C

3.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg=3,3Ω,

vGE=±15В, tj=25°C

662

NS

tr

Время нарастания

142

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

633

NS

tf

Время спада

117

NS

eна

Включить переход потеря

19.7

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

22.4

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg=3,3Ω,

vGE=±15В, tj=125°C

660

NS

tr

Время нарастания

143

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

665

NS

tf

Время спада

137

NS

eна

Включить переход потеря

24.9

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

28.4

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

25.3

НФ

c- Да.

Выходной объем

2.25

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.91

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

2550

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=300А

tj=25°C

1.82

2.25

v

tj=125°C

1.95

qr

Восстановлено

заряд

Яf= 300A,

vr=600 В,

rg=3,3Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

29.5

μC

tj=125°C

42.3

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

210

A

tj=125°C

272

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

16.4

МГ

tj=125°C

22.7

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

0.055

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.092

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

0.035

K/W

вес

вес- Что?модуль

300

g