Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

520

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

1807

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

1.95

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

28.6

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.92

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=15В

1.92

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

331

NS

tr

Время нарастания

105

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

521

NS

tf

Время спада

124

NS

eна

Включить переход

потеря

6.30

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

27.3

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

327

NS

tr

Время нарастания

110

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

575

NS

tf

Время спада

166

NS

eна

Включить переход

потеря

10.6

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

34.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 300A,  rg= 2,2Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

318

NS

tr

Время нарастания

111

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

586

NS

tf

Время спада

185

NS

eна

Включить переход

потеря

11.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

37.0

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.85

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V,tj=25oc

29.3

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

236

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

14.8

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V, tj= 125oc

52.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

302

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

26.4

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.= 600 В,If= 300A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=- 15V, tj= 150oc

60.8

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

322

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

30.4

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.18

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.083

0.111

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.061

0.082

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g