Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

GD300SGL170C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc= 100°C

460

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

600

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

2273

w

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4

1.1 до 2.0

Крутящий момент соединения терминала, винт м6

2,5 до 5.0

n.m.

Крутящий момент установки, винт м6

3,0 до 5.0

g

Вес модуль

300

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1700

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.4

6.2

7.4

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25°C

2.50

2.95

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125°C

3.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=4.7Ω,VGE=±15В, tj=25°C

464

NS

tr

Время нарастания

157

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

421

NS

tf

Время спада

290

NS

eна

Включить переход

потеря

108

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

55.2

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=4.7Ω,VGE=±15В, tj= 125°C

483

NS

tr

Время нарастания

161

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

465

NS

tf

Время спада

538

NS

eна

Включить переход

потеря

128

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

83.7

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

20.4

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.72

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,V Ск.= 1300 v, vСМК≤1700V

960

A

qg

Сбор за вход

vСк.=900V,Ic= 300A, vGE=-15 - Что?+15В

2.4

μC

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=300А

tj=25°C

1.80

2.25

v

tj=125°C

1.95

qr

Восстановлено

заряд

Яf= 300A,

vr= 900 В,

rg= 4,7Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

70.3

μC

tj=125°C

108

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

209

A

tj=125°C

238

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

40.7

МГ

tj=125°C

65.1

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

0.066

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.105

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

0.035

K/W