Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD300SGL120C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

600

A

300

Ясм(1)

Импульсный коллекторный токn

600

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

300

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

3000

w

tsc

Время выдержки короткого замыкания @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tj

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение, диод

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

19000

A2С

vИзо

Изоляционное напряжение RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Крутящий момент крепления

Сигнальный терминал Винт:M4

1. 1 до 2.0

n.m.

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5.0

монтаж Винт: M6

3 в 6

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

bvCES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc= 12 мА,ВCE=VGE- Да.tj=25°C

5

6.2

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25°C

1.9

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj= 125°C

2.1

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 300A,

90

NS

tr

Время нарастания

rg=4,7Ω, VGE = ±15 v, tj=25°C

55

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

460

NS

tf

Время спада

vСк.= 600 В,Ic= 300A,

rg=4,7Ω, VGE = ±15 v, tj=25°C

55

NS

eна

Включение переключения

потеря

28

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

25

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 300A,rg=4,7Ω, VGE =±15 v, tj= 125°C

110

NS

tr

Время нарастания

60

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

500

NS

tf

Время спада

60

NS

eна

Включение переключения

потеря

31

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

27

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE =25V, f=1MHz,

vGE =0В

21

НФ

c- Да.

Выходной объем

1.5

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.9

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10μs, VGE=15 v,  tj=125°C, VСк.= 900 В, vСМК≤1200 В

1300

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE ’

Противодействие свинца модуляe, Терминал на чип

tc=25°C

0.18

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=300А

tj=25°C

2.0

2.4

v

tj= 125°C

2.2

2.5

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf= 300A,

vr=600 В,

di/dt=-2400A/μs, vGE=- 15 В

tj=25°C

27

μC

tj= 125°C

50

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

120

A

tj= 125°C

170

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

9

МГ

tj= 125°C

20

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть IGBT, per Модуль)

0.06

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (часть ДИОД, на модульe)

0.12

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

K/W

вес

вес из модуль

310

g