Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

493

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальная мощность рассеяния- Что?t =175oc

1829

w

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

1.85

2.20

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

2.25

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

2.35

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

2.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

36.1

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.88

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

2.83

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 2,4Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

204

NS

tr

Время нарастания

48

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

595

NS

tf

Время спада

100

NS

eна

Включить переход

потеря

69.3

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

63.3

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=2.4Ω

VGE=±15В, tj= 125oc

224

NS

tr

Время нарастания

55

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

611

NS

tf

Время спада

159

NS

eна

Включить переход

потеря

96.8

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

99.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg=2.4Ω

VGE=±15В, tj= 150oc

240

NS

tr

Время нарастания

55

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

624

NS

tf

Время спада

180

NS

eна

Включить переход

потеря

107

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

105

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.90

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.95

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

55

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

297

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

32.2

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Вtj=125oc

116

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

357

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

68.2

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=5400A/μs,VGE=- 15 Вtj=150oc

396

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

120

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

81.6

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Модуль свинцового сопротивления- Да, конечно, я не знаю.

0.35

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.082

0.129

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g