Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

GD300HFT170C2S

единицы

VCES

Сборщик-выпускник напряжение

1700

v

VGFs

Затвор-эмиттер напряжение

± 20

v

- Да.

Коллектор текущий @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM(1)

пульсирующий Коллектор текущий tp=1мс

600

A

и

Диод непрерывный Прямой текущий

300

A

- Да.

Диод максимальный Прямой текущий

600

A

pp

максимальный Энергия рассеивание @Tj=175℃

2083

w

TSC

Недолго Круг Выдержи. время @Tj=125℃

10

μs

Tjmax

максимальный Переходный пункт температура

175

°C

ТСТГ

хранение температура диапазон

-40 to+125

°C

I²t-значение,Диод

VR=0V,t=10ms,Tj=125℃

14500

A²s

Визо

Изоляция напряжение RMS,f=50Гц,t=1мин

4000

v

монтаж крутящий момент

Энергия терминал винт:M6

2.5 в 5.0

n.m.

монтаж  Винт: M6

3.0 в 5.0

n.m.

Символ

Параметр

испытание условия

минуты.

тип.

Максимальное.

единицы

BVcrs

Сборщик-выпускник

пробой напряжение

VGe=0В,Ic=4.0мА, T=25℃

1700

v

ICES

Коллектор Отключение текущий

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25°C

3.0

Мамочка

IGrs

Затвор-эмиттер утечка текущий

VGr=VGes,Vcn=0В, T=25℃

400

- Нет

Символ

Параметр

испытание условия

минуты.

Тип.

Максимальное.

единицы

Vcπ(h)

Затвор-эмиттер Порог напряжение

Ie=12.0мА,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE(sat)

Коллектор в излучатель насыщение напряжение

Ic=300A,VGr=15В, T=25℃

2.0

v

- Да.= 300A,VGr=15В. T=125℃

2.4

Символ

Параметр

испытание условия

минуты.

Тип.

Максимальное.

единицы

taon)

Включить Задержка время

Vcc=900В,Ic=300A,Ra=4.72,

Vae=±15В, T=25℃

281

NS

t

подъем время

82

NS

ТА(о)

Выключение Задержка время

801

NS

tr

Падение время

Vcc=900В,Ic=300A, 

Rc=4.72,

V=±15В

T=25℃

121

NS

EON

Включить переход

потеря

70

МГ

Eofr

Выключение переход

потеря

65

МГ

ta(on)

Включить Задержка время

Vcc=900В,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15ВT=125℃

303

NS

t

подъем время

103

NS

ta(om)

Выключение Задержка время

1002

NS

tr

Падение время

203

NS

EON

Включить переход

потеря

105

МГ

EOR

Выключение переход

потеря

94

МГ

- Да, конечно.

Вход Пропускная способность

VCE=25V, f=1Mhz,

VGr=0В

27.0

НФ

Коэ

выпуск Пропускная способность

1.1

НФ

Крес

задом наперёд перевод

Пропускная способность

0.9

НФ

Иск

sc данные

tSC≤10μs,VGE=15V, 

T=125℃,

Vcc=1000В

VcrM≤1700В

1200

A

RGint

внутренний Врата СопротивлениеCE

2.5

О

LCr

Посторонний индуктивность

20

НН

RcC'+EE'

модуль свинцовый Сопротивление, терминал в чип

TC=25°C

0.35

м2

Символ

Параметр

испытание условия

минуты.

Тип.

Максимальное.

единицы

ВР

Диод Прямой

напряжение

Iq=300A

Tj=25°C

1.8

v

Ti=125℃

1.9

q

Диод задом наперёд

восстановление заряд

Ir=300A,

VR=900В,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15В

T=25℃

77

μC

Tj=125°C

131

МРТ

Диод Пик

задом наперёд восстановление текущий

Tj=25°C

351

A

T=125℃

383

Eree

задом наперёд восстановление энергетики

Tj=25°C

40

МГ

Tj=125°C

72

Символ

Параметр

Тип.

Максимальное.

единицы

Rac

Переходный пункт-в-Кейс (ИГБТ часть- Да. за 1/2 Моду(с)

0.072

K/W

Rac

Переходный пункт-в-Кейс (Диод часть- Да. pЭ 1/2 модуль)

0.13

K/W

Roc

Сборка из коробки в раковину (Проводящий жир применяется)

0.035

K/W

вес

вес из модуль

300

g