Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

490

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

2027

w

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

2.40

2.85

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

2.80

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

2.90

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

20.3

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.69

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

2.31

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

200

NS

tr

Время нарастания

97

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

410

NS

tf

Время спада

370

NS

eна

Включить переход

потеря

82.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

60.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

250

NS

tr

Время нарастания

99

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

630

NS

tf

Время спада

580

NS

eна

Включить переход

потеря

115

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

90.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

260

NS

tr

Время нарастания

105

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

670

NS

tf

Время спада

640

NS

eна

Включить переход

потеря

125

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

100

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

1200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.95

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.90

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

90.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

270

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

45.0

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 В tj= 125oc

135

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

315

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

75.5

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

160

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

330

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

84.0

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc= 100oC,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

рассеивание мощности

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

3375

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

1.10

mΩ

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.074

0.121

K/W

rθcs

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

0.029

0.047

K/W

rθcs

Сборка из коробки в раковину

0.009

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, винт м6

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

g

вес- Что?модуль

350

g