Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=90oc

430

300

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ T =175oc

1851

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

300

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

600

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=25oc

2.40

2.85

v

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=125oc

2.80

Яc= 300 А,ВGE=15В, tj=150oc

2.90

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 12,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

2.3

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

20.0

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.72

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

1.8

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj=25oc

464

NS

tr

Время нарастания

157

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

421

NS

tf

Время спада

290

NS

eна

Включить переход

потеря

108

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

55.2

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj=125oc

483

NS

tr

Время нарастания

161

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

465

NS

tf

Время спада

538

NS

eна

Включить переход

потеря

128

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

83.7

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic= 300A,  rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, tj=150oc

492

NS

tr

Время нарастания

165

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

483

NS

tf

Время спада

747

NS

eна

Включить переход

потеря

141

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

92.1

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj= 150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

960

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=125oc

1.95

Яf= 300 А,ВGE=0V,Tj=150oc

1.90

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=25oc

70

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

209

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

40.7

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=125oc

108

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

238

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

65.1

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr=900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VGE=- 15 Вtj=150oc

123

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

253

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

71.6

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

15

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.25

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.081

0.138

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Кассе-на-теплоотводы (на М)(отрывок)

0.032

0.054

0.010

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

2.5

3.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g