Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD1600SGL120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

2500

A

1600

ЯCM(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

3200

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

1600

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды

3200

A

pd

Максимальная мощностьtj=150°C

8.3

КВ

tsc

Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=125°C

10

μs

tj

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

Я2t-значение, диод

vr=0V,t=10ms,Tj=125°C

300

ка2С

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж

крутящий момент

Терминал питания Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.8 до 2.1

8,0 до 10

n.m.

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

bv CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vГЭ ((th)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=64mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=1600A,VGE=15В, tj=25°C

1.8

v

Яc=1600A,VGE=15В, tj=125°C

2.0

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qGE

Сбор за вход

vGE=-15…+15V

16.8

μC

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=1600A, 

rg= 0,82Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

225

NS

tr

Время нарастания

105

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1100

NS

tf

Время спада

100

NS

eна

Включить Потери при переключении

148

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

186

МГ

td(on)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=1600A, 

rg= 0,82Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

235

NS

tr

Время нарастания

105

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

1160

NS

tf

Время спада

105

NS

eна

Включить Потери при переключении

206

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

239

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

119

НФ

c- Да.

Выходной объем

8.32

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

5.44

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,- Что?

tj=125°C- Да.

vСк.= 900 В, vСМК ≤1200 В

7000

A

rГинт

Внутренний резис вороттанцевать

0.1

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

12

НН

rСк.+EE’

Модуль свинцового сопротивления- не Терминал на чип

tc=25°C

0.19

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=1600A

tj=25°C

2.1

v

tj=125°C

2.2

qr

Восстановленная зарядка

Яf=1600A,

vr=600 В,

di/dt=-7500A/μs, vGE= 15 В

tj=25°C

73

μC

tj=125°C

175

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

510

A

tj=125°C

790

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

17

МГ

tj=125°C

46

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθJC

Сцепление с корпусом (IGBT часть, вмодуль)

15

К/кВт

rθJC

Сцепление с корпусом (диодная часть, в M)(отрывок)

26

К/кВт

rθCS

Сборка из коробки в раковину

(Применение проводящего жира,r Модуль)

6

К/кВт

вес

Вес модуль

1500

g