Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD1200HFT120C3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1800

A

1200

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

2400

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

1200

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

2400

A

pd

Максимальная мощность рассеяния    @ Tj= 150°C

5.2

КВ

tj

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж

Сигнальный терминал Винт:M4

Терминал питания Винт:M8

1.8 до 2.1

8,0 до 10

n.m.

крутящий момент

монтаж Винт: M6

4.25 до 5.75

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, 

tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, 

tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc=48Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 1200А,ВGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc= 1200А,ВGE=15В, tj= 125°C

2.00

2.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

11.5

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=1200A, 

rГон= 2,4Ω,

rГофф= 0,82Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

600

NS

tr

Время нарастания

230

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

820

NS

tf

Время спада

150

NS

eна

Включить Потери при переключении

/

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

/

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=1200A, 

rГон= 2,4Ω,

rГофф= 0,82Ω,

vGE=±15V,Tj= 125°C

660

NS

tr

Время нарастания

220

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

960

NS

tf

Время спада

180

NS

eна

Включить Потери при переключении

246

МГ

eвыключенный

Потеря переключения при выключении

191

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

86.1

НФ

c- Да.

Выходной объем

4.50

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

3.90

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,  tj=125°CVСк.= 900 В, 

vСМК≤1200 В

4800

A

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE ’

Противодействие свинца модуляe, Терминал на чип

tc=25°C

0.18

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 1200а

tj=25°C

1.65

2.15

v

tj= 125°C

1.65

2.15

qr

Обратный диод

Заряд восстановления

Яf= 1200А,

vr=600 В,

rГон= 2,4Ω,

vGE=- 15 В

tj=25°C

69

μC

tj= 125°C

129

ЯRM

Пиковый диод

Обратное восстановление текущий

tj=25°C

485

A

tj= 125°C

623

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

32

МГ

tj= 125°C

60

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

24

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

43

К/кВт

rθcs

Сборка из коробки в раковину

(Нанесена проводящая смазка, согласномодуль)

6

К/кВт

вес

Вес модуль

1500

g