Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

ЯCN

Использование коллектора Cuренты

1000

A

Яc

Ток коллектора  @ Tf=75oc

765

A

ЯCRM

Повторяющийся Пик Коллектор текущий ТП ограниченный По tvjop

2000

A

pd

Максимальное распределение мощности- - - - - @tf=75oc- Да.tj=175oc

1515

w

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

ЯФн

Использование коллектора Cuренты

1000

A

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

765

A

ЯФРМ

Повторяющийся Пик Прямой текущий ТП ограниченный По tvjop

2000

A

ЯФСМ

Импульсный прямой ток  tp=10ms  @ Tvj=25oc   @ Tvj=150oc

4100

3000

A

Я2t

Я2t-стоимость- Да.tp= 10мс@tvj=25oC  @ Tvj=150oc

84000

45000

A2С

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

tvjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Напряжение изоляции  RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Яc=1000A,VGE=15В, tvj=25oc

1.45

1.90

v

Яc=1000A,VGE=15В, tvj=125oc

1.65

Яc=1000A,VGE=15В, tvj=175oc

1.80

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенныйтекущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tvj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tvj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

51.5

НФ

cре

Обратная передача Пропускная способность

0.36

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=-15…+15V

13.6

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,  

rg=0.51Ω, LС=40nH, vGE=-8V/+15V,

tvj=25oc

330

NS

tr

Время нарастания

140

NS

td(off)

Выключение время задержки

842

NS

tf

Время спада

84

NS

eна

Включить переход потеря

144

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

87.8

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,  

rg=0.51Ω, LС=40nH, vGE=-8V/+15V,

tvj=125oc

373

NS

tr

Время нарастания

155

NS

td(off)

Выключение время задержки

915

NS

tf

Время спада

135

NS

eна

Включить переход потеря

186

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

104

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,  

rg=0.51Ω, LС=40nH, vGE=-8V/+15V,

tvj=175oc

390

NS

tr

Время нарастания

172

NS

td(off)

Выключение время задержки

950

NS

tf

Время спада

162

NS

eна

Включить переход потеря

209

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

114

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤8μs,VGE=15В,

tvj=150oC,VСк.=800V, 

vСМК ≤1200 В

3200

A

tp≤6μs,VGE=15В,

tvj=175oC,VСк.=800V, 

vСМК ≤1200 В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед напряжение

Яf=1000A,VGE=0V,Tvj=25oc

1.60

2.05

v

Яf=1000A,VGE=0V,Tvj=125oc

1.70

Яf=1000A,VGE=0V,Tvj=175oc

1.60

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.tvj=25oc

91.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

441

A

erec

Обратное восстановление энергетики

26.3

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.

tvj=125oc

141

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

493

A

erec

Обратное восстановление энергетики

42.5

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.

tvj=175oc

174

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

536

A

erec

Обратное восстановление энергетики

52.4

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Энергия

рассеивание

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))]

3375

K

b25/80

B-значение

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))]

3411

K

b25/100

B-значение

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))]

3433

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rСк.+EE ’

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

mΩ

rФНП

Переходный пункт-в-Охлаждение Жидкость(наIGBT)Соединение с охлаждающей жидкостью (по Dйода) △V/△t=10,0dm3/минуты- Да.tf=75oc

0.066 0.092

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

n.m.

g

вес из модуль

400

g

p

Максимальное давление в охлаждающем контуре

3

Бар

∆p

Падение давления в системе охлажденияслюнка

∆V/∆t=10.0dm3/мин;Tf=25oC;Охлаждающая- Что?жидкость=50% Вода/50% Этиленгликоль

47

мбар