IGBT Дискретный

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oC   @ Tc=100oc

150

75

A

Ясм

пульсирующий Коллектор текущий  tp  ограниченный По tvjmax

225

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tvj=175oc

852

w

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

75

A

ЯФм

пульсирующий Коллектор текущий  tp  ограниченный По tvjmax

225

A

Символ

описание

ценности

единица

tvjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-55 до +150

oc

tС

Температура пайки,1.6mm from case for 10-е

260

oc

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Яc=75A,VGE=15В, tvj=25oc

1.75

2.20

v

Яc=75A,VGE=15В, tvj=150oc

2.10

Яc=75A,VGE=15В, tvj=175oc

2.20

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=3.00Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tvj=25oc

5.0

5.8

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенныйтекущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tvj=25oc

250

μA

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tvj=25oc

100

- Нет

rГинт

Сопротивление внутреннего воротника

2.0

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

6.58

НФ

c- Да.

Выходной объем

0.40

cре

Обратная передача Пропускная способность

0.19

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=-15…+15V

0.49

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=75A,- Что?rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, Ls=40nH,

tvj=25oc

41

NS

tr

Время нарастания

135

NS

td(off)

Выключение время задержки

87

NS

tf

Время спада

255

NS

eна

Включить переход потеря

12.5

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

3.6

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=75A,- Что?rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, Ls=40nH,

tvj=150oc

46

NS

tr

Время нарастания

140

NS

td(off)

Выключение время задержки

164

NS

tf

Время спада

354

NS

eна

Включить переход потеря

17.6

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

6.3

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=75A,- Что?rg= 4,7Ω,

vGE=±15В, Ls=40nH,

tvj=175oc

46

NS

tr

Время нарастания

140

NS

td(off)

Выключение время задержки

167

NS

tf

Время спада

372

NS

eна

Включить переход потеря

18.7

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

6.7

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤10μs,vGE=15В,

tvj=175oC,VСк.=800V, vСМК≤ 1200 В

300

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед напряжение

Яf=75A,VGE=0V,Tvj=25oc

1.75

2.20

v

Яf=75A,VGE=0V,Tvj=150oc

1.75

Яf=75A,VGE=0V,Tvj=175oc

1.75

trr

Обратный диод  время восстановления

vr= 600 В,If=75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH,

tvj=25oc

267

NS

qr

Восстановленная зарядка

4.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

22

A

erec

Обратное восстановление энергетики

1.1

МГ

trr

Обратный диод  время восстановления

vr= 600 В,If=75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH,

tvj=150oc

432

NS

qr

Восстановленная зарядка

9.80

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

33

A

erec

Обратное восстановление энергетики

2.7

МГ

trr

Обратный диод  время восстановления

vr= 600 В,If=75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15v, Ls=40nH,

tvj=175oc

466

NS

qr

Восстановленная зарядка

11.2

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

35

A

erec

Обратное восстановление энергетики

3.1

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)Соединение с корпусом (на D)йода)

0.176 0.371

K/W

rТГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W