ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1700V

IGBT-module 1700V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1700V

GD400CUT170C2S,IGBT-module,STARPOWER

1700 400A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400CUT170C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1700V 400A.

Kenmerken

  • Laag VCE (sat) Gracht IGBT Technologie
  • Lage schakellosses
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • AC-inverteraandrijvingen
  • Schakelmodus voedingen

IGBT t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD400CUT170C2S

Eenheid

V. CES

Collector-Emitter Spanning @ T j =25

1700

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C = 25

@ T C =80

650

400

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

800

A

P tot

Totale vermogensverliezen @ T j = 150

2403

W

t SC

Kortsluitweerstandstijd @ T j =150

10

μs

Uitschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25

1700

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25

3.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25

400

NA

Inschakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

I C = 16mA,V CE =V GE , t j =25

5.2

5.8

6.4

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V, t j =25

2.00

2.45

V.

I C = 400 A,V GE =15V, t j = 125

2.40

Schakelkenmerken

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V,I C = 400A, r G =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j =25

278

n

t r

Opstijgtijd

81

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

802

n

t F

Ouderdom

119

n

E Aan

Aanzetten Schakelverlies

104

mJ

E Afgeschakeld

Uitschakel schakelverlies

86

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V,I C = 400A, r G =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125

302

n

t r

Opstijgtijd

99

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

1002

n

t F

Ouderdom

198

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

V. CC = 900V,I C = 400A, r G =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125

136

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

124

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

36

PF

C oes

Uitgangscondensator

1.5

PF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.2

PF

r Gint

Interne poortweerstand tance

1.9

Ω

I SC

SC-gegevens

t P 10μs,V GE =15V, t j =125 ,V CC = 1000 V, V. CEM van de soort gebruikt voor het produceren van elektrische apparaten

1600

A

Diode t C =25 tenzij anders Opgemerkt

Maximale nominale waarden

Symbool

Beschrijving

GD400CUT170C2S

Eenheid

V. RRM

Herhalende Piekschade Spanning @ Tj=25

1700

V.

I F

DC Voorwaartse Stroom @ T C =80

100

A

I FRM

Herhalende Pieksgewijze Voorwaartse Stroom t P =1 ms

200

A

I 2t

I 2t-waarde,V r =0V,T P =1 0ms,T j =125

1800

A 2s

Kenmerkenwaarden

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 100A,V GE =0V

t j =25

1.80

2.20

V.

t j = 125

1.90

Q r

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

I F = 100A,

V. r = 900V,

di/dt=-2450A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V

t j =25

29.0

μC

t j = 125

48.5

I RM

Diode piek

Omgekeerd herstel stroom

t j =25

155

A

t j = 125

165

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25

15.5

mJ

t j = 125

27.5

IGBT-module

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE

Module leidingweerstand, terminal naar chip @ T C =25

0.35

m Ω

r θ JC

Junctie-naar-behuizing

(IGBT-inverter, per 1/2 Module le)

0.052

K/W

Junctie-naar-behuizing

(DIODE-rem-chopper per 1/2 Module)

0.280

r θ CS

Behuizing-naar-koeler (geleidend vet a pplied)

0.035

K/W

t j

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40

125

Montage

Koppel

Vermogensterminal Schroef:M6

2.5

5.0

N.m

Montage Schroef:M6

3.0

5.0

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000