GD900HFA120C6S,IGBT-module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C = 90 O C

900

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

1800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

3409

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode continue voorwaartscur huur

900

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

1800

A

I FSM

Surge Vooruitstroom t P =10ms @ t j =25 O C @ T j =150 O C

4100

3000

A

I 2t

I 2t-waarde,t P =10ms @ T j =25 O C

@ T j =150 O C

84000

45000

A 2s

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =900A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

I C =900A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

I C =900A,V GE =15V, t j = 175 O C

1.65

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.36

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

13.6

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

330

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

842

n

t F

Ouderdom

84

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

144

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

87.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

373

n

t r

Opstijgtijd

155

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

915

n

t F

Ouderdom

135

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

186

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

104

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j = 175 O C

390

n

t r

Opstijgtijd

172

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

950

n

t F

Ouderdom

162

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

209

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

114

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤8μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs,V GE =15V,

t j = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

I F =900A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.65

I F =900A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.55

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t j =25 O C

91.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

441

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

26.3

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t j =125 O C

141

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

493

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

42.5

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t j = 175 O C

174

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

536

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

52.4

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van r 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.80

mΩ

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.044

0.076

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

G