Alle Categorieën

IGBT-module 1700V

IGBT-module 1700V

homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1700V

YMIF3600-17,IGBT-module,Hoge stroom IGBT-module, enkele schakel IGBT,CRRC

3600V 1700V

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF3600-17/TIM3600E2SM17-TSA000
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,H - de huidige Module , IGBT-modules met één schakelaar, geproduceerd door CRRC. 1700V 3600A.

Kenmerken

●SPT+chip-set voor lage schakellossingen

●Lage VCEsat

●Lage stuurkracht

●AlSiC basisplaat voor hoge vermogenscycluscapaciteit

●AlN substraat voor lage thermische weerstand

Typisch Sollicitatie

●Trekkracht aandrijvingen

●DC-chopper

●Middelspanningsomvormers/converters

Maximale nominale waarden

Parameter

Symbool

Condities

Min.

Maximaal

eenheid

Spanning van de collectieverzender

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

1700

V

DC collectorstroom

ik

TC =80°C

3600

A

Piekstroom van de collector

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

7200

A

Spanning van de poort-emitter

VGES

-20

20

V

Totale vermogensverliezen

Ptot

TC =25°C,perswitch(IGBT)

17800

W

DC-voortstroming

IF

3600

A

Piekstroom naar voren

IFRM

TP=1 ms

7200

A

Overspanningsstroom

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halve sinusgolf

18000

A

IGBT kortsluit SOA IGBT

tpsc

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

Isolatiespanning

Visol

1min,f=50Hz

4000

V

verbindingstemperatuur

Tvj

175

Junction bedrijfstemperatuur

Tvj(op)

-50

150

Behuizing temperatuur

TC

-50

125

Opslagtemperatuur

TSTG

-50

125

Montagetorques

MS

4

6

Nm

MT1

8

10

MT2

2

3

IGBT Kenmerkwaarden

Parameter

Symbool

Condities

Min.

Type

Maximaal

eenheid

Collector (- emitter) doorbraak Spanning

V(BR)CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

V

Collector-Emitter Verzadigingsspanning

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

2.5

V

Tvj=125°C

3.0

V

Tvj=150°C

3.1

V

Collector uitschakelstroom

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Tvj=150°C

170

mA

Doorlaatstroom

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

NA

Gate-Emitter Drempelspanning

VGE (de)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

7.3

V

Gate-lading

Qg

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

21.0

µC

Ingangs capaciteit

Cies

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

239

nF

Uitgangscondensator

Coes

20.9

Omgekeerde overdracht capaciteit

Cres

9.24

Tijd voor de inlichtingsachterstand

Td (aan)

VCC =900V, IC =3600A, RG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

1200

n

Tvj = 125 °C

1500

Tvj = 150 °C

1600

Opstijgtijd

- Het is...

Tvj = 25 °C

1400

Tvj = 125 °C

1600

Tvj = 150 °C

1700

Vertragingstijd voor uitschakeling

Td (uit)

Tvj = 25 °C

3000

n

Tvj = 125 °C

3500

Tvj = 150 °C

3700

Ouderdom

TF

Tvj = 25 °C

500

Tvj = 125 °C

560

Tvj = 150 °C

620

Inschakelverliezen energie

EON

Tvj = 25 °C

2700

mJ

Tvj = 125 °C

2900

Tvj = 150 °C

3200

Uitschakelverliezen energie

EOFF

Tvj = 25 °C

3800

mJ

Tvj = 125 °C

4100

Tvj = 150 °C

4400

Kortsluitstroom

Isc

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V

10000

A

Overzicht

image(902cc9d13e).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000