IGBT-module 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT-module,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

Stardragers

Spu:

GD650HFX170P1S

Inleiding
Overzicht

Inleiding

Korte introductie actie

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1700V 650A

Kenmerken

Lage V CE (sat ) Gracht IGBT TECHNOLOGIE
10 μs kortcircuitcapaciteit - De
V CE (sat ) Met positief Temperatuur coëfficiënt
Maximum verbindingstemperatuur 175O C
Vergrote diode voor regeneratief operatie
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie
Hoge vermogen en thermische cycli capaci te

Typisch Toepassingen

Hoge vermogensomvormer
Wind- en zonne-energie
Traction drive

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opmerking

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	1300	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	4.2	kW

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piektalen omgekeerde spanning	1700	V
I F	Diode continue voorwaartscur huur	650	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	1300	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuur Bereik	-40 tot +150	O C
V iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut	4000	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =650A,V GE =15V, t j =25 O C		1.90	2.35	V
		I C =650A,V GE =15V, t j =125 O C		2.35
		I C =650A,V GE =15V, t j =150 O C		2.45
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			2.3		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		72.3		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		1.75		nF
Q G	Gate-lading	V GE - Ik ben niet... 15...+15V		5.66		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =650A, r Gaat u goed? = 1.8Ω,R Goff. =2.7Ω, V GE =±15V,T j =25 O C		468		n
t r	Opstijgtijd			86		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			850		n
t F	Ouderdom			363		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			226		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			161		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =650A, r Gaat u goed? = 1.8Ω,R Goff. =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 125O C		480		n
t r	Opstijgtijd			110		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			1031		n
t F	Ouderdom			600		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			338		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			226		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =650A, r Gaat u goed? = 1.8Ω,R Goff. =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 150O C		480		n
t r	Opstijgtijd			120		n
t D (Afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			1040		n
t F	Ouderdom			684		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			368		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			242		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V		2600		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =650A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =650A,V GE =0V,T j = 125O C		1.98
		I F =650A,V GE =0V,T j = 150O C		2.02
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C		176		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			765		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			87.4		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C		292		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			798		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			159		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C		341		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			805		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			192		mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
ΔR/R	Afwijking van r 100	t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		18		nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.30		mΩ
r thJC	De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			35.8 71.3	K/kW
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		13.5 26.9 4.5		K/kW
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M4 Terminalverbinding Koppel, Schroef M8 Montage-koppel Schroef M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.m
G	Gewicht van Module		810		G