ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD600HTA120P6HT,IGBT-module,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD600HTA120P6HT
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 600A.

Kenmerken

  • Laag VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • Lage schakellosses
  • 6 μs kortsluiting
  • VCE (sat) Met positief Temperatuur coëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerd Koper schelp Basisker gebruiken Si3N4 AMB Technologie

Typisch Toepassingen

  • Automobieltoepassing
  • Hybride en elektrische voertuigen
  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I CN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

600

A

I C

Verzamelaarsstroom @ T F = 85 O C

450

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

1200

A

P D

Maximale vermogensafvoer atie @ t F = 75 O C t j = 175 O C

970

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde voltage GE

1200

V.

I FN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

600

A

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

450

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

1200

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werkpunttemperatuur continu

Voor 10s binnen een periode van 30s, voorkomens maximaal 3000 keer gedurende levensduur ik

-40 tot +150

+150 tot +175

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

D - Wat een rotzooi.

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

9.0 9.0

mm

D helder

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

4.5 4.5

mm

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I CN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

600

A

I C

Verzamelaarsstroom @ T F = 85 O C

450

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

1200

A

P D

Maximale vermogensafvoer atie @ t F = 75 O C t j = 175 O C

970

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde voltage GE

1200

V.

I FN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

600

A

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

450

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

1200

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werkpunttemperatuur continu

Voor 10s binnen een periode van 30s, voorkomens maximaal 3000 keer gedurende levensduur ik

-40 tot +150

+150 tot +175

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

D - Wat een rotzooi.

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

9.0 9.0

mm

D helder

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

4.5 4.5

mm

IGBT Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C = 450 A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

V.

I C = 450 A,V GE =15V, t j =150 O C

1.65

I C = 450 A,V GE =15V, t j = 175 O C

1.70

I C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.60

I C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

1.90

I C =600A,V GE =15V, t j = 175 O C

2.00

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 15,6 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

6.4

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand

1.67

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=100kHz, V. GE =0V

81.2

nF

C oes

Uitgangscondensator

1.56

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.53

nF

Q G

Gate-lading

V. CE = 600V,I C =600A, V GE =-8...+15V

5.34

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 600A,

r Gaat u goed? =1,0Ω, r Goff. = 2,2Ω, L s =22nH,

V. GE =-8V/+15V, t j =25 O C

290

n

t r

Opstijgtijd

81

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

895

n

t F

Ouderdom

87

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

53.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

47.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 600A,

r Gaat u goed? =1,0Ω, r Goff. = 2,2Ω, L s =22nH,

V. GE =-8V/+15V, t j =150 O C

322

n

t r

Opstijgtijd

103

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1017

n

t F

Ouderdom

171

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

84.2

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

63.7

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 600A,

r Gaat u goed? =1,0Ω, r Goff. = 2,2Ω, L s =22nH,

V. GE =-8V/+15V, t j = 175 O C

334

n

t r

Opstijgtijd

104

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

1048

n

t F

Ouderdom

187

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

89.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

65.4

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 6 μs, V. GE =15V,

t j = 175 O C,V CC = 800V, V. CEM ≤ 1200V

2000

A

Diode Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren Spanning

I F = 450 A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

V.

I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.75

I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.70

I F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

I F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

I F =600A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.90

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j =25 O C

22.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

304

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

10.8

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j =150 O C

46.6

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

336

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

18.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j = 175 O C

49.8

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

346

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

19.8

mJ

NTC Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

∆R/R

Afwijking van r 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Module Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

8

nH

r CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.75

P

V/ t=10,0 dm 3/Min. ,t F = 75 O C

64

mbar

P

Maximale druk in koelcircuit - De koek

2.5

bar

r de JF

Junctie -Om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) V/ t=10,0 dm 3/Min. ,t F = 75 O C

0.103 0.140

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Gewicht van Module

750

G

Overzicht

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000