ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD450HFY120C2S,IGBT-module,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD450HFY120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 450A.

Kenmerken

  • Lage V CE (sat ) Gracht IGBT Technologie
  • 10 μs kortcircuitcapaciteit - De
  • V. CE (sat ) Met positief Temperatuur coëfficiënt
  • Maximum verbindingstemperatuur 175O C
  • Lage inductantie Geval
  • Snel en zacht omgekeerd herstel anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • Omvormer voor motor D aandrijving
  • AC en DC servo Aandrijving versterker
  • Ononderbroken stroom voorziening

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

680

450

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

900

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T = 175 O C

2173

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

450

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

900

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

4000

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 450 A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.05

V.

I C = 450 A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C = 450 A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 11,3 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

1.7

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

46.6

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.31

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

3.50

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 450A, r G = 1,5Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

328

n

t r

Opstijgtijd

76

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

539

n

t F

Ouderdom

108

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

19.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

46.6

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 450A, r G = 1,5Ω,

V. GE =±15V, t j =125 O C

376

n

t r

Opstijgtijd

86

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

595

n

t F

Ouderdom

214

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

36.3

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

53.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 450A, r G = 1,5Ω,

V. GE =±15V, t j =150 O C

380

n

t r

Opstijgtijd

89

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

608

n

t F

Ouderdom

232

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

41.7

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

55.5

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 800V, V. CEM ≤ 1200V

1800

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 450 A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V.

I F = 450 A,V GE =0V,T j =125 O C

1.65

I F = 450 A,V GE =0V,T j =150 O C

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

V. CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, t j =25 O C

29.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

275

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

13.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, t j =125 O C

68.8

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

342

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

31.6

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. CC = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4370A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, t j =150 O C

79.6

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

354

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

35.8

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module leidingweerstand nce, terminal naar chip

0.35

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.069

0.108

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.033

0.051

0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c537ef1333).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000