IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD400SGL120C2S

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

650

A

400

I CM (1)

Pulsed Collector Curre nt

800

A

I F

Diode met continue voorstroom

400

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom huur

800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175℃

3000

W

t SC

Kortsluitweerstandstijd @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

℃

t j

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

I 2t-waarde, Diode

V. r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2s

V. iso

Isolatiespanning RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V.

Montagetorque

Voedingsaansluitschroef:M6

2,5 tot 5

N.m

Montage Schroef:M6

3 Om 6

N.m

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

BV CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter

lekstroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

Gate-Emitter

De spanning van de spanning moet worden bepaald door de volgende factoren:

I C =8 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V.

V. CE (sat)

Collector naar

Emitter verzadiging

Spanning

I C = 400 A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.9

V.

I C = 400 A,V GE =15V, t j = 125℃

2.1

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A,

r G =4Ω, V GE = ± 15 V,

100

n

t r

Opstijgtijd

60

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

t j =25 ℃

420

n

t F

Ouderdom

V. CC = 600V,I C = 400A,

r G =4Ω, V GE = ± 15 V,

t j =25 ℃

60

n

E Aan

Aanzetten

Schakelverlies

33

mJ

E Afgeschakeld

Draaien -Afgeschakeld

Schakelverlies

42

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A,

r G =4Ω, V GE = ± 15 V,

t j = 125℃

120

n

t r

Opstijgtijd

60

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

490

n

t F

Ouderdom

75

n

E Aan

Aanzetten

Schakelverlies

35

mJ

E Afgeschakeld

Draaien -Afgeschakeld

Schakelverlies

46

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

30

nF

C oes

Uitgangscondensator

4

nF

C res

Omgekeerd

Overdracht capaciteit

3

nF

I SC

SC-gegevens

t s C ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j =125 ℃ , V CC = 900V,

V. CEM ≤ 1200V

1900

A

r Gint

Inwendige poort

weerstand

0.5

Ω

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE ’

Module Lead

Weerstand,

Terminal naar chip

t C =25 ℃

0.18

m Ω

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =400A

t j =25 ℃

2.1

2.2

V.

t j = 125℃

2.2

2.3

Q r

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

I F = 400A,

V. r =600V,

di/dt=-4000A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V

t j =25 ℃

40

μC

t j = 125℃

48

I RM

Diode piek

Omgekeerd herstel stroom

t j =25 ℃

320

A

t j = 125℃

400

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

12

mJ

t j = 125℃

20

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θ JC

Junctie-naar-Behuising (IGBT Deel, pe r Module)

0.05

K/W

r θ JC

Verbinding met de behuizing (diode-deel, per module) e)

0.09

K/W

r θ CS

Behuizing-naar-koeler (geleidend vet a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht van Module

300

G