IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD400SGK120C2S

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

Symbool

Beschrijving

GD400SGK120C2S

Eenheid

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20V

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

550

A

400

I CM(1)

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

800

A

I F

Diode continue voorstroom nt

400

A

I Fm

Diode maximale voorstroom nt

800

A

P D

Maximaal vermogen t j =150 ℃

2500

W

t SC

Kortsluitweerstandstijd @ T j =1 25℃

10

μs

t j

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

I 2t-waarde, Diode

V. r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

27500

A 2s

V. iso

Isolatiespanning RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V.

Montage

Koppel

Vermogensterminal Schroef:M4

Vermogensterminal Schroef:M6

1.1 tot 2.0

2,5 tot 5.0

N.m

Montage Schroef:M6

3,0 tot 6.0

N.m

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

BV CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

V. GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (de)

Gate-Emitter

De spanning van de spanning moet worden bepaald door de volgende factoren:

I C = 5,0 mA, V CE =V GE ,

t j =25 ℃

4.5

5.1

5.5

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V,T j =25 ℃

2.2

V.

I C = 400 A,V GE =15V,

t j =125 ℃

2.5

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t De volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A,

258

n

t r

Opstijgtijd

r G =3,3Ω, V GE = ± 15 V,

110

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

t j = 25 ℃

285

n

t F

Ouderdom

V. CC = 600V,I C = 400A,

r G =3,3Ω, V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃

70

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

45

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

26

mJ

t De volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A,

r G =3,3Ω, V GE = ± 15 V, t j = 125℃

260

n

t r

Opstijgtijd

120

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

300

n

t F

Ouderdom

80

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

60

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

40

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1,0MHz,

V. GE =0V

74.7

nF

C oes

Uitgangscondensator

3.3

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.64

nF

I SC

SC-gegevens

t s C ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =125 ℃ , V CC = 900V,

V. CEM ≤ 1200V

2400

A

L CE

Inductie van de afwijking

16

nH

r CC + EE ’

Module Lead

Weerstand, Terminal Om Chip

t C =25 ℃

0.50

m Ω

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =400A

t j =25 ℃

2.0

2.3

V.

t j =125 ℃

2.2

2.5

Q r

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

I F = 400A,

V. r =600V,

di/dt=-4100A/μs, V. GE =-15V

t j =25 ℃

31

μC

t j =125 ℃

66

I RM

Diode piek

Omgekeerd herstel stroom

t j =25 ℃

300

A

t j =125 ℃

410

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

12

mJ

t j =125 ℃

28

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θJC

De in punt 3.4.1 bedoelde onderdelen zijn: 1/2 Module)

0.05

K/W

r θJC

Verbinding met de behuizing (diode-deel, per 1/2 Module)

0.08

K/W

r θCS

Behuizing-naar-koeler (geleidend vet a pplied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht van Module

340

G