ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1700V

IGBT-module 1700V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1700V

GD400HFL170C2S,IGBT-module,STARPOWER

1700V 400A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400HFL170C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1700V 300A.

Kenmerken

  • Laag VCE (sat) SPT+ IGBT Technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) Met positief Temperatuur coëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

659

400

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

2727

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1700

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

400

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

800

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V, t j =25 O C

2.00

2.45

V.

I C = 400 A,V GE =15V, t j =125 O C

2.40

I C = 400 A,V GE =15V, t j =150 O C

2.50

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

27.0

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.92

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

3.08

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V,I C = 400A, r G =2.2Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

367

n

t r

Opstijgtijd

112

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

523

n

t F

Ouderdom

236

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

42.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

76.7

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V,I C = 400A, r G =2.2Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

375

n

t r

Opstijgtijd

116

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

599

n

t F

Ouderdom

458

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

58.7

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

109

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V,I C = 400A, r G =2.2Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

377

n

t r

Opstijgtijd

120

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

611

n

t F

Ouderdom

560

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

73.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

118

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000 V, V. CEM ≤ 1700V

1200

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 400 A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V.

I F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F = 400 A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V. CC = 900V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, t j =25 O C

101

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

488

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

71.1

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. CC = 900V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, t j = 125O C

150

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

562

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

106

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. CC = 900V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, t j = 150O C

160

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

575

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

112

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module leidingweerstand nce, terminal naar chip

0.35

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.055

0.105

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.107

0.204

0.035

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000