IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD400HFL120C2SN

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

650

A

400

I CM(1)

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

800

A

I F

Diode met continue voorstroom @ T C =80 ℃

400

A

I Fm

Diode maximale voorstroom nt

800

A

P D

Maximaal vermogen t j =150 ℃

2450

W

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V.

Montage

Vermogensterminal Schroef:M6

2,5 tot 5.0

N.m

Koppel

Montage Schroef:M6

3,0 tot 5.0

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR) CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE =V CES ,V GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

V. GE =V GES ,V CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (de)

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

I C = 16mA,V CE =V GE , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

V.

I C = 400 A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

t De volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G = 4,1Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

910

n

t r

Opstijgtijd

200

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

848

n

t F

Ouderdom

110

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

33.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

39.5

mJ

t De volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G = 4,1Ω,V GE = ± 15 V, t j =125 ℃

1047

n

t r

Opstijgtijd

201

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

998

n

t F

Ouderdom

150

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

46.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

57.6

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

29.7

nF

C oes

Uitgangscondensator

2.08

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.36

nF

I SC

SC-gegevens

t s C ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =25 ℃ ,V CC =600V,

V. CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Interne poortweerstand

0.5

Oh

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE ’

Module leidingweerstand nce, Terminal naar chip

t C =25 ℃

0.35

m Ω

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.40

V.

t j =125 ℃

1.85

Q r

Teruggevorderde heffing

I F = 400A,

V. r =600V,

di/dt=-2680A/μs, V. GE =-15V

t j =25 ℃

26

μC

t j =125 ℃

49

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

t j =25 ℃

212

A

t j =125 ℃

281

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

13.4

mJ

t j =125 ℃

23.8

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θJC

Junctie -Om -Geval (perIGBT )

0.051

K/W

r θJC

De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten Diode)

0.072

K/W

r θCS

Cas-to-Sink (geleidend vet) toegepast)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht van Module

300

G