ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD300TLY120C2S, IGBT-module, 3-niveau in één pakket, STARPOWER

1200V 300A, 3-niveau in één pakket

Brand:
Stardragers
Spu:
GD300TLY120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd , 1200V 300A, 3-niveau in één verpakking, door StarPower.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Lage schakelverliezen
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding
  • Zonne-energie

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

T1,T2 IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T = 175 O C

1612

W

D1,D2 Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

T3,T4 IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

650

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C =60 O C

372

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T = 175 O C

920

W

D3,D4 Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

650

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

Module

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

4000

V.

T1,T2 IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V.

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =7.50 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

21.0

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.20

nF

Q G

Gate-lading

V. GE =-15…+15V

2.60

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

182

n

t r

Opstijgtijd

54

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

464

n

t F

Ouderdom

72

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

10.6

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

25.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V. GE =±15V, t j = 125O C

193

n

t r

Opstijgtijd

54

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

577

n

t F

Ouderdom

113

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

16.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

38.6

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V. GE =±15V, t j = 150O C

203

n

t r

Opstijgtijd

54

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

618

n

t F

Ouderdom

124

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

18.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

43.3

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

1200

A

D1,D2 Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I C =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V.

I C =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.65

I C =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.65

Q r

Hersteld

Opladen

V. CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j =25 O C

29

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

318

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

18.1

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j = 125O C

55

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

371

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

28.0

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. CC = 600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j = 150O C

64

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

390

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

32.8

mJ

T3,T4 IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V.

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 4,8 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

1.0

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

17.1

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.51

nF

Q G

Gate-lading

V. GE =-15 +15V

2.88

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

88

n

t r

Opstijgtijd

40

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

294

n

t F

Ouderdom

43

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.34

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

8.60

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j =125 O C

96

n

t r

Opstijgtijd

48

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

312

n

t F

Ouderdom

60

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.86

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

10.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j =150 O C

104

n

t r

Opstijgtijd

48

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

318

n

t F

Ouderdom

60

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.98

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

11.3

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 6 μs, V. GE =15V,

t j =150 O C,V CC =360V, V. CEM ≤ 650 V

1500

A

D3,D4 Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

1.95

V.

I F =300A,V GE =0V,T j =125 O C

1.50

I F =300A,V GE =0V,T j =150 O C

1.45

Q r

Hersteld

Opladen

V. r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

14.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

209

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

3.74

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

26.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

259

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

6.82

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

30.8

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

275

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

7.70

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r thJC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D2 Dio de)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D3,D4 Dio de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T1,T2 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D2 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T3,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D3,D4 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

340

G

Overzicht

image(a7f8d9193b).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000