ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD300TLT120E5S, IGBT-module, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD300TLT120E5S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 300A.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Lage schakelverliezen
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding
  • Zonne-energie

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

T1,T2 IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

540

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T = 175 O C

1948

W

D1,D2 Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

T3,T4 IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

650

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

415

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T = 175 O C

1086

W

D3,D4 Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

650

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

T1,T2 IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V.

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.10

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

21.5

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.98

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

2.80

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

250

n

t r

Opstijgtijd

90

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

550

n

t F

Ouderdom

130

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

17.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

29.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j = 125O C

300

n

t r

Opstijgtijd

100

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

650

n

t F

Ouderdom

180

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

25.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

44.0

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j = 150O C

320

n

t r

Opstijgtijd

100

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

680

n

t F

Ouderdom

190

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

27.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

48.5

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

1200

A

D1,D2 Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V.

I F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Hersteld

Opladen

V. r = 600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

30.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

210

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

14.0

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r = 600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

56.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

270

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

26.0

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r = 600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C

62.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

290

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

28.5

mJ

T3,T4 IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V.

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 4,8 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.4

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

1.0

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

18.5

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.55

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15V ...+15V

3.22

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

110

n

t r

Opstijgtijd

50

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

490

n

t F

Ouderdom

50

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.13

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

9.83

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j =125 O C

120

n

t r

Opstijgtijd

60

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

520

n

t F

Ouderdom

70

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

3.10

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

12.0

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V. GE =±15V, t j =150 O C

130

n

t r

Opstijgtijd

60

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

530

n

t F

Ouderdom

70

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

3.30

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

12.5

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 6 μs, V. GE =15V,

t j =150 O C,V CC =360V, V. CEM ≤ 650 V

1500

A

D5,D6 Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V.

I F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

I F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Hersteld

Opladen

V. r =300V,I F =300A,

- di/dt=6500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

13.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

190

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

3.40

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r =300V,I F =300A,

- di/dt=6500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

24.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

235

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

6.20

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r =300V,I F =300A,

- di/dt=6500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C

28.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

250

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

7.00

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r thJC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D2 Dio de)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D3,D4 Dio de)

0.077

0.141

0.138

0.237

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T1,T2 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D2 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T3,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D3,D4 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

K/W

m

Montage-koppel Schroef M6

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.m

Overzicht

image(44a1fe728d).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000