ALLE CATEGORIEËN

IGBT Discrete

IGBT Discrete

startpagina / Producten / IGBT Discrete

IGBT discrete,DG75X12T2,STARPOWER

IGBT discrete, 1200V, 75A

Brand:
Stardragers
Spu:
DG75X12T2
  • Inleiding
Inleiding

Vriendelijke herinnering:Fof meerIGBT DiscreteStuur een e-mail.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • Lage schakelverliezen
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD

 

 

 

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • AC- en DC-servo Aandrijving versterker
  • Ononderbroken stroomvoorziening

Absoluut Maximum Beoordelingen tC=25OC tenzij anders Opgemerkt

 IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V.CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V.GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

IC

Verzamelaarsstroom @ TC=25OC @ TC=100OC

150

75

A

ICM

Pulsed Verzamelaar stroom  tP  beperkt Door tvjmax

225

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ TVj= 175OC

852

W

Diode

 

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V.RRM

Herhalende piek omgekeerde voltLeeftijd

1200

V.

IF

Diode Continuous Forward Current

75

A

IFm

Pulsed Verzamelaar stroom  tP  beperkt Door tvjmax

225

A

Discrete

 

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

tvjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +175

OC

tSTG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot +150

OC

ts

Soldeertemperatuur, 1.6mm van behuizing voor 10s

260

OC

 

IGBT Kenmerken tC=25OC tenzij anders Opgemerkt

 

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

 

 

V.CE (sat)

 

 

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=75A,VGE=15V, tVj=25OC

 

1.75

2.20

 

 

V.

IC=75A,VGE=15V, tVj=150OC

 

2.10

 

IC=75A,VGE=15V, tVj= 175OC

 

2.20

 

V.GE(th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=3.00mA,V.CE=V.GE, tVj=25OC

5.0

5.8

6.5

V.

ICES

Verzamelaar Snijden-Afgeschakeldstroom

V.CE=V.CES,V.GE=0V, tVj=25OC

 

 

250

μA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V.GE=V.GES,V.CE=0V,tVj=25OC

 

 

100

NA

rGint

Interne poortweerstand

 

 

2.0

 

Ω

Cies

Ingangs capaciteit

 

V.CE=25V, f=100kHz, V.GE=0V

 

6.58

 

nF

Coes

Uitgangscondensator

 

0.40

 

 

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

 

0.19

 

nF

QG

Gate-lading

V.GE=-15…+15V

 

0.49

 

μC

tD(Aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

 

 

V.CC= 600V,IC=75A,    rG= 4,7Ω,

V.GE=±15V, Ls=40nH,

tVj=25OC

 

41

 

n

tr

Opstijgtijd

 

135

 

n

td(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

 

87

 

n

tF

Ouderdom

 

255

 

n

EAan

Aanzetten Schakelen Verlies

 

12.5

 

mJ

EAfgeschakeld

Afschakeling Verlies

 

3.6

 

mJ

tD(Aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

 

 

V.CC= 600V,IC=75A,    rG= 4,7Ω,

V.GE=±15V, Ls=40nH,

tVj=150OC

 

46

 

n

tr

Opstijgtijd

 

140

 

n

td(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

 

164

 

n

tF

Ouderdom

 

354

 

n

EAan

Aanzetten Schakelen Verlies

 

17.6

 

mJ

EAfgeschakeld

Afschakeling Verlies

 

6.3

 

mJ

tD(Aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

 

 

V.CC= 600V,IC=75A,    rG= 4,7Ω,

V.GE=±15V, Ls=40nH,

tVj= 175OC

 

46

 

n

tr

Opstijgtijd

 

140

 

n

td(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

 

167

 

n

tF

Ouderdom

 

372

 

n

EAan

Aanzetten Schakelen Verlies

 

18.7

 

mJ

EAfgeschakeld

Afschakeling Verlies

 

6.7

 

mJ

ISC

 

SC-gegevens

tP≤ 10 μs,V.GE=15V,

tVj= 175OC,VCC= 800V, V.CEM≤ 1200V

 

 

300

 

 

A

Diode Kenmerken tC=25OC tenzij anders Opgemerkt

 

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

 

V.F

Diode naar voren Spanning

IF=75A,VGE=0V,TVj= 25OC

 

1.75

2.20

 

V.

IF=75A,VGE=0V,TVj=150OC

 

1.75

 

IF=75A,VGE=0V,TVj=175OC

 

1.75

 

trr

Diode omgekeerd  Hersteltijd

 

V.r= 600V,IF=75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj=25OC

 

267

 

n

Qr

Teruggevorderde heffing

 

4.2

 

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

 

22

 

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

 

1.1

 

mJ

trr

Diode omgekeerd  Hersteltijd

 

V.r= 600V,IF=75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj=150OC

 

432

 

n

Qr

Teruggevorderde heffing

 

9.80

 

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

 

33

 

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

 

2.7

 

mJ

trr

Diode omgekeerd  Hersteltijd

 

V.r= 600V,IF=75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj= 175OC

 

466

 

n

Qr

Teruggevorderde heffing

 

11.2

 

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

 

35

 

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

 

3.1

 

mJ

 

 

 

Discrete Kenmerken tC=25OC tenzij anders Opgemerkt

 

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

rthJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens:T)De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D)iodum)

 

 

0.176 0.371

K/W

rthJA

Junction-to-Ambient

 

40

 

K/W

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000