ALLE CATEGORIEËN

IGBT Discrete

IGBT Discrete

Startpagina /  Producten /  IGBT Discrete

DG120X07T2, IGBT discrete, STARPOWER

1200V,120A

Brand:
Stardragers
Spu:
DG120X07T2
  • Inleiding
Inleiding

Vriendelijke herinnering :F of meer IGBT Discrete Stuur een e-mail.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • Lage schakelverliezen
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Loodvrije verpakking

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

650

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =135 O C

240

120

A

I CM

Pulsed Verzamelaar stroom t P beperkt Door t jmax

360

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

893

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

650

V.

I F

Diode continue voorstroom @ T C =25 O C @ T C =80 O C

177

120

A

I Fm

Diode Maximum Vooruit stroom t P beperkt Door t jmax

360

A

Discrete

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +175

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot +150

O C

t s

Soldeertemperatuur, 1.6mm v an behuizing voor 10s

260

O C

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =120A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V.

I C =120A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

I C =120A,V GE =15V, t j = 175 O C

1.75

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =1.92 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 O C

250

uA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

200

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

/

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=100kHz, V. GE =0V

14.1

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.42

nF

Q G

Gate-lading

V. GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =120A, r G =7.5Ω,

V. GE =±15V, L s =40 nH ,t j =25 O C

68

n

t r

Opstijgtijd

201

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

166

n

t F

Ouderdom

54

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

7.19

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

2.56

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =120A, r G =7.5Ω,

V. GE =±15V, L s =40 nH ,t j =150 O C

70

n

t r

Opstijgtijd

207

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

186

n

t F

Ouderdom

106

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

7.70

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

2.89

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =300V,I C =120A, r G =7.5Ω,

V. GE =±15V, L s =40 nH ,t j = 175 O C

71

n

t r

Opstijgtijd

211

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

195

n

t F

Ouderdom

139

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

7.80

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

2.98

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 6 μs, V. GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 300 V, V. CEM ≤ 650 V

600

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren Spanning

I F =120A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V.

I F =120A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

I F =120A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.60

t RR

Diode omgekeerd Hersteltijd

V. r =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =25 O C

184

n

Q r

Teruggevorderde heffing

1.65

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

17.2

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

0.23

mJ

t RR

Diode omgekeerd Hersteltijd

V. r =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j =150 O C

221

n

Q r

Teruggevorderde heffing

3.24

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

23.1

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

0.53

mJ

t RR

Diode omgekeerd Hersteltijd

V. r =300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE =-15V L s =40 nH ,t j = 175 O C

246

n

Q r

Teruggevorderde heffing

3.98

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

26.8

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

0.64

mJ

Discrete Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.168 0.369

K/W

r thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000