ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD800SGT120C2S_G8,IGBT-module,STARPOWER

IGBT-module, 1200V 800A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD800SGT120C2S_G8
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 800A.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • Omvormer voor motor D aandrijving
  • AC en DC servo Aandrijving versterker
  • Ononderbroken stroomvoorziening r voorziening

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 30

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1250

800

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P = 1ms

1600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

4166

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

800

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

1600

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =800A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.70

2.15

V.

I C =800A,V GE = 15 V, t j =125 O C

1.95

I C =800A,V GE = 15 V, t j =150 O C

2.00

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =32.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

5.0

5.7

6.5

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.13

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =30V, f=1MHz,

V. GE =0V

79.2

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

2.40

nF

Q G

Gate-lading

V. GE = 15V

4.80

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

408

n

t r

Opstijgtijd

119

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

573

n

t F

Ouderdom

135

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

21.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

72.4

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V. GE =±15V, t j = 125O C

409

n

t r

Opstijgtijd

120

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

632

n

t F

Ouderdom

188

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

26.4

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

107

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V. GE =±15V, t j = 150O C

410

n

t r

Opstijgtijd

123

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

638

n

t F

Ouderdom

198

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

28.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

112

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE = 15 V,

t j =150 O C,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

3200

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V.

I F =800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

I F =800A,V GE =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V. GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

81.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

518

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

39.4

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V. GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

136

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

646

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

65.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C

155

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

684

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

76.6

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.18

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.036

0.048

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.123

0.163

0.035

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M4 Terminalverbinding Koppel, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(6b521639e0).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000